为了回答这个问题，我们须要先理清楚什么叫做“28纳米光刻机”。
常日意义上，半导体行业的光刻机的划分是根据光源波长来命名，比如我们常常说的193纳米ArF光刻机，248纳米KrF光刻机。
而我们所说的“28纳米光刻机”，则指的是达到“28纳米节点工艺”精度的浸没式光刻机。
熟习半导体的朋友都很清楚，常日一代光源的光刻机可以通过不断迭代升级超过多个节点；以是用“28纳米光刻机”来命名，实际上是比常日用光源波长命名要更精确一点。
“28纳米节点工艺”本身是台积电从32纳米节点到22纳米节点的一个过渡，也是02专项立项期间最前辈的制程。当时ASML推出的最前辈的系统是浸没式光刻机NXT:1950Ai。
为了实现28纳米以下节点，常日须要双重曝光、多重曝光，以是对浸没式光刻系统的精度哀求更高。
ASML已经给出早期从2010年-2016年间迭代的4代浸没式DUV光刻机的节点精度和对应的系统指标：
1，2010-2012年的“28纳米光刻机”，其产品套刻精度9纳米，特色尺寸精度3纳米；
2，2012-2013年的“20纳米光刻机”，其产品套刻精度6纳米，特色尺寸精度1.5纳米；
3，2014-2015年的“14纳米光刻机”，其产品套刻精度4纳米，特色尺寸精度1纳米；
4，2015-2016年的“11纳米光刻机”，其产品套刻精度3纳米，特色尺寸精度小于1纳米。
如果要顺延“28纳米光刻机”的命名规范来说，我们同样须要将其升级到“22纳米光刻机”、“14纳米光刻机”、“7纳米光刻机”平分歧迭代产品型号，才可以实现相应节点精度的哀求。所谓的“28纳米光刻机”不能包打天下啊！
实际上，如果我们仔细地研究ASML的资料，就可以大致创造，ASML从32纳米浸没式光刻机迭代到7纳米浸没式光刻机，也用了大约10年韶光！
它包括了一系列系统级的逐渐优化和提升，而不是故意人为设定的代差。
以是，如果我国在2023年能够有浸没式光刻机试验机的，它至少须要3年才可能形成28纳米的量产能力。之后我们再谈论迭代升级，可能是合理的--当然，彼时升级的速率有可能会轻微快一点。但是这个可能性不大，由于我们可以从我国的90纳米光刻机的商业化进展来看，它从试验机台到商业化成熟产品的超过须要的韶光，远远超过大家的想象。
综上所述，即便是成熟的“28纳米光刻机”，也不能达到量产14纳米或7纳米芯片的精度哀求，它仍须要大量的系统级迭代升级才可以达到更前辈芯片制程的能力。
因此，我的判断是我国目前办理光刻机困局的路线涌现问题，其根源是忽略了试验机台到商业化成熟产品的鸿沟，这两者依赖完备不同的开拓模式和组织模式。
