晶体管并非是安装上去的，芯片制造实在分为沙子 - 晶圆，晶圆 - 芯片这样的过程，而在芯片制造之前，IC 涉及要卖力设计好芯片，然后交给晶圆代工厂。
芯片设计分为前端设计和后端设计，前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计）并没有统一严格的界线，涉及到与工艺有关的设计便是后端设计。芯片设计要用专业的 EDA 工具。
如果我们将设计的门电路放大，白色的点便是衬底, 还有一些绿色的边框便是掺杂层。
当芯片设计好了之后，就要制造出来，晶体管便是在晶圆上直接雕出来的，晶圆越大，芯片制程越小，就能切割出更多的芯片，效率就会更高。
举个例子，就彷佛切西瓜一样，西瓜更大的，但是原来是切成 3 厘米的小块，现在换成了 2 厘米，是不是块数就更多。以是现在的晶圆从 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到现在 16 寸大小。
制程这个观点，实在便是栅极的大小，也可以成为栅长，它的间隔越短，就可以放下更多的晶体管，这样就不会让芯片不会因技能提升而变得更大，利用更前辈的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小。但是我们如果将栅极变更小，源极和漏极之间流过的电流就会越快，工艺难度会更大。
芯片制造共分为七大生产区域，分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜成长、抛光、金属化。
个中雕出晶圆的最主要的两个步骤便是光刻和蚀刻，光刻技能是一种精密的微细加工技能。
常规光刻技能是采取波长为 2000～4500 的紫外光作为图像信息载体，以光致抗光刻技能蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，终极把图像信息通报到晶片(紧张指硅片)或介质层上的一种工艺。
光刻技能便是把芯片制作所须要的线路与功能区做出来。大略来说芯片设计职员设计的线路与功能区“印进”晶圆之中，类似摄影机摄影。
摄影机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。
而蚀刻技能便是利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层撤除，从而在晶片表面或介质层上得到与抗蚀剂薄层图形完备同等的图形。
集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经由约 10 次光刻才能完成各层图形的全部通报。
在半导系统编制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法堕落。目前主流所用的还是干法刻蚀工艺，利用干法刻蚀工艺的就叫等离子体蚀刻机。
在集成电路制造过程中须要多种类型的干法刻蚀工艺，运用涉及硅片上各种材料。被刻蚀材料紧张包括介质、硅和金属等，通过与光刻、沉积等工艺多次合营可以形成完全的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。
驱动之家有一片的 CPU 的制造过程，《从沙子到芯片：且看处理器是若何炼成的》，就从微不雅观上讲解了这个步骤。
在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定韶光的照射。事理便是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于堕落。
溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，打消后留下的图案和掩模上的同等。
“刻蚀”是光刻后，用堕落液将变质的那部分光刻胶堕落掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种堕落液对晶圆堕落，形成半导体器件及其电路。
打消光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的义务发布完成，全部打消后就可以看到设计好的电路图案。
这里说一下，什么是光刻胶。我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模版上，然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学效应，再通过显影技能溶解去除曝光区域或未曝光区域，使掩模版上的电路图转移到光刻胶上，末了利用刻蚀技能将图形转移到硅片上。
而光刻根据所采取正胶与负胶之分，划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。在正性光刻中，正胶的曝光部分构造被毁坏，被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。
相反地，在负性光刻中，负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解，掩模部分则会被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。
可以说，在晶圆制造中，直径 30 厘米的圆形硅晶薄片穿梭在各种极度精密的加工设备之间，由它们在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一的沟槽或电路。
热处理、光刻、刻蚀、洗濯、沉积……每块晶圆要昼夜无休地被连续加工两个月，经由成百上千道工序，终极集成了海量的眇小电子器件，经切割、封装，成为信息社会的基石——芯片。
这是一个 Top-down View 的 SEM 照片，可以非常清晰的瞥见 CPU 内部的层状构造，越往下线宽越窄，越靠近器件层。
这是 CPU 的截面视图，可以清晰地看到层状的 CPU 构造，由上到下有大约 10 层，个中最下层为器件层，即是 MOSFET 晶体管。
