乾照光电申请氮化镓系LED外延结构及其制备方法专利提高有源层的内量子效率提升LED芯片亮度_晶格_应力

专利择要显示，本发明供应了一种氮化镓系LED外延构造及其制备方法，其所述有源层包括沿第一方向依次设置的第一复合区、应力过渡层以及第二复合区；通过所述应力过渡层的In组分设置，实现InGaN/GaN超晶格构造（即第一复合区）与主发光区（即第二复合区）之间的应力过渡，避免因InGaN/GaN超晶格构造中两材料晶格不匹配所带来的极化效应影响至主发光区；同时，通过所述应力过渡层的材料和厚度设置，使其等同于前置量子阱，以捕获通过V型坑中间的穿透位错中央透露的载流子并使其进行辐射复合，进而提高有源层的内量子效率，提升LED芯片亮度。

本文源自金融界