下面便是广东省华南检测技能有限公司如何进行芯片失落效剖析流程和剖析的案例。
一、芯片失落效剖析的步骤
1. 外不雅观检讨。
2. X-ray。
3.声学扫描显微镜检讨。
4.I-V曲线测试。
5.化学解封装后内部视检。
6.微光显微镜检讨。
二、芯片失落效剖析案例
1. 案例背景
收到客户样品2Pcs芯片，客户描述1Pc为NG样品，另1Pc为OK样品，根据客户哀求进行失落效剖析缘故原由。
2.剖析方法简述
2.1 外不雅观检讨
OK芯片外不雅观描述
NG芯片外不雅观描述
解释：光学显微镜检讨显示OK样品正面、背面以及侧面无其他明显外不雅观非常。检讨显示NG样品正面、背面及侧面均有助焊剂残留及黑胶残留。
2.2 X-射线检讨
OK芯片X-Ray描述
NG芯片X-Ray描述
解释：X-射线检讨显示OK样品与NG样品内部描述同等，内部键合线不一致，无其他明显内部非常。
2.3声学扫描显微镜检讨
OK芯片C-SAM描述
NG芯片C-SAM描述
解释：声学扫描显微镜检讨显示OK样品与NG样品芯片表面及引线框面均无明显非常。
2.4 I-V曲线测试
OK I-V曲线测试图
NG I-V曲线测试图
解释： I-V测试曲线剖析（电流500uA/电压500mV），NG样品测试曲线有VCC对GND存在差异，可能存在微泄电情形。
2.5 化学解封装后内部视检
OK芯片化学解封装后内部描述
NG芯片化学解封装后内部描述
解释：化学解封装后光学显微镜检讨显示OK样品与NG样品描述同等，无其他非常特色。
2.6 微光显微镜检测
NG样品微光显微镜检测描述
解释:微光显微镜检测（5V电压、1mA电流）显示NG样品芯片GND对VCC间存在泄电非常征象。
三、失落效剖析结论
对客户供应的NG样品芯片进行外不雅观检讨，I-V测试曲线剖析以及结合微光显微镜检测结果，推测芯片失落效的缘故原由是芯片内部轻微泄电，导致事情非常。
华南检测失落效剖析：
<p ,="" arial,="" 微软雅黑,="" sans-serif;="" text-wrap:="" wrap;"="" style="margin-top: 0px; margin-bottom: 0px; list-style: none; box-sizing: border-box; color: rgb(0, 0, 0); text-align: start; white-space: normal; font-family: "Microsoft YaHei";">http://www.gdhnjc.com/websiteMap
