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这款芯片的厉害之处就在于它的三维垂直构造阻变存储器和外围运算电路的堆叠，实现了超高的乘累加打算精度，打算密度和能效都得到了大幅提升！
而且，在大脑 MRI 图像的边缘检测和 CIFAR-10 数据集的推理方面，它的表现更是让人惊艳，供应了更准确的结果和更高的精度。
更厉害的是，这项技能在不同精度配置下的能效也非常出色，分别达到了 62.11 TOPS/W、29.94 TOPS/W 和 8.32 TOPS/W，位密度更是高达 58.2 bit/μm²！
这意味着它在边缘智能打算领域有着巨大的运用潜力，同时也为存算一体方向的发展开辟了更广阔的空间。
这项技能已经在《自然·电子》(Nature Electronics)期刊上揭橥，这可是中科院微电子所在 Nature 大类子刊的首次打破哦！
第一作者是中科院微电子研究所的霍强博士生，共同第一作者是北京理工大学的杨镒铭，通讯作者则是中科院微电子研究所的张锋研究员和北京理工大学的王兴华副教授。他们真是中国科技界的骄傲啊！
（图片来自网络侵删）
不得不说，中国的科技发展真是越来越迅猛了！
相信这项技能将会给我们的生活带来更多的便利和改变。让我们一起为中国科技点赞，期待更多的打破和创新吧！
标签：微电子
