A.是这样的--在小米上刻字？
B.还是这样的--在树根上面进行镂空雕刻？
C.又或者是这样的--像PCB版印刷样的，线路板平面连接各种电子器件？
D.实在与PCB很像，相称于是一个立体的PCB，最下面是很多晶体管密集的排列在一起，然后通过很多的金属导线，通过立体的架构，一层又一层的链接起来，如下图所示。
是不是很神奇，有点建筑学的样子，制作晶体管的部分便是所谓的前段工艺(FEOL)，从金属连接(Contact)开始便是所谓的后段工艺(BEOL)，有没有金属制程是区分前后段工艺的主要标识哦。
好啦，废话不多说，我们来看看底层的晶体管是怎么建立起来的，下面给大家分享下基本的工艺流程图。
（1）先对P型的的硅片进行高温氧化工艺，天生很薄的一层Si3N4的薄膜层（Film）。
（2）在Si3N4上均匀的涂上一层光刻胶。
（3）利用掩膜版（又叫光罩/Reticle）上的图形进行曝光和显影的工艺，刻出有源区
（4）进行刻蚀的工艺，将光刻胶遮住的那一部分刻蚀出来
（5） 进行氧化（栅氧化）， 在暴露的硅表面天生一层严格掌握的薄SiO2层。
（3） 淀积多晶硅， 刻蚀多晶硅以形成栅极及互连线图形。
（4） 将磷或砷离子注入， 多晶硅成为离子注入的掩膜（自对准）， 形成了MOS管的源区和漏区；同时多晶硅也被掺杂， 减小了多晶硅的电阻率。
（5） 淀积SiO2， 将全体构造用SiO2覆盖起来， 刻出与源区和漏区相连的打仗孔。
（6） 把铝或其它金属蒸上去， 刻出电极及互连线
后面便是大家所熟习的CMP（化学机器研磨），WAT（Wafer的电性测试），OQC（出货考验）等工艺流程啦。
实际上，我们的产品要比这个繁芜的多，少则两三百步，多则四五千步。但基本上都是基于上面的步骤进行循环和细化。
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