一、用指针式万用表对场效应管进行判别
（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的征象，可以判别出结型场效应管的三个电极。详细方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
由于对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意打仗一个电极，另一只表笔依次去打仗别的的两个电极，测其电阻值。当涌现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所打仗的电极为栅极，别的两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，解释是PN结的反向，即都是反向电阻，可以剖断是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，解释是正向PN结，即是正向电阻，剖断为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不涌现上述情形，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表丈量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否符合去判别管的好坏。详细方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，丈量源极S与漏极D之间的电阻，常日在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部打仗不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则解释管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则解释管是坏的。要把稳，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应旗子暗记输人法估测场效应管的放大能力
详细方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压旗子暗记加到栅极上。这样，由于管的放大浸染，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变革，也便是漏源极间电阻发生了变革，由此可以不雅观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，解释管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，解释管是坏的。
根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，解释该管是好的，并有较大的放大能力。
利用这种方法时要解释几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的互换电压较高，而不同的场效应管用电阻档丈量时的事情点可能不同（或者事情在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就解释管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要把稳，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G许可的感应电压不应过高，以是不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。
第三，每次丈量完毕，应该G-S极间短路一下。这是由于G-S结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成再进行丈量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
（4）用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用丈量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也便是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再丈量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D；红表笔所接的为源极S。
用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一样平常G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变革判断跨导的大小
对VMOSN沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相称于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手打仗栅极G时，会创造管的反向电阻值有明显地变革，其变革越大，解释管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变革不大。
二、场效应管的利用把稳事变
（1）为了安全利用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各种型场效应管在利用时，都要严格按哀求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压等等。
（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，以是在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要把稳，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要把稳管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，哀求统统测试仪器、事情台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持相互短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的办法确保人体接地如采取接地环等；当然，如果能采取前辈的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全方法在利用场效应管时必须把稳。
（5）在安装场效应管时，把稳安装的位置要只管即便避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在波折时，应该大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
对付功率型场效应管，要有良好的散热条件。由于功率型场效应管在高负荷条件下利用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地事情。
总之，确保场效应管安全利用，要把稳的事变是多种多样，采纳的安全方法也是各种各样，广大的专业技能职员，特殊是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情形出发，采纳切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
三、VMOS场效应管
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继续了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA旁边），还具有耐压高（最高1200V）、事情电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速率快等优秀特性。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正得到广泛运用。
VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情形下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”征象所引起的管子破坏征象。因此，VMOS管的并联得到广泛运用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其事情电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大构造特点:第一，金属栅极采取V型槽构造；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，以是ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经由P沟道流入轻掺杂N-漂移区，末了垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，由于流利截面积增大，以是能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
海内生产VMOS场效应管的紧张厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，范例产品有VN401、VN672、VMPT2等。
下面先容检测VMOS管的方法。
1．剖断栅极G
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。若创造某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交流表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，由于它和其余两个管脚是绝缘的。
2．剖断源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交流表笔法测两次电阻，个中电阻值较低（一样平常为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3．丈量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的范例值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（范例值）。
4．检讨跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
把稳事变：
（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对付P沟道管，丈量时应交流表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供互换电机调速器、逆变器利用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式构造。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高事情频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小旗子暗记低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）利用VMOS管时必须加得当的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈随意马虎引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一样平常不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的大略单纯方法
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表丈量时，若某一极与其它两极阻值为
无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。别的两极再用万用表丈量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后丈量阻值较小。在丈量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、把稳事变
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。把稳判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。变频器、软起动器、PLC、人机界面、低压电器、电气自动化工程、恒压供水设备、音乐喷泉掌握系统、变频器维修等。
