3D NAND的好处自然便是能够好比今的闪存供应功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来乃至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。其余还有一个主要特性，便是（每单位容量）本钱将会比现有技能更低，而且由于无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好。
Intel在现在2D NAND时期是没有做TLC闪存的，但是在即将到来的3D NAND时期，Intel将推出自己的TLC闪存，其余还有一个非常主要的便是，TLC与MLC实在都是同一块芯片，这点和现在三星的3D NAND差不多，Intel的客户可以根据自己的需求选择闪存是事情在MLC模式还是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。
Intel 3D NAND目前会利用32层堆叠，电荷存储量和当年的50nm节点产品相称，第二第三代产品依然会保持这样的电荷量，以担保产品的可靠性，会议上并没有明确解释3D NAND到底是利用那种工艺，只说了用的是50nm到34nm之间的工艺。
Intel的3D NAND代号是L06B/B0KB
L06B是MLC产品的代号，采取ONFI 4.0标准，Die Size 32GB，16k Page Size，利用4-plane设计，虽然会带来额外的延时，但同时也供应了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量，闪存寿命是3000 P/E。
B0KB则是TLC产品的代号，由于是同一芯片以是许多东西都是L06B一样，当然容量、性能与寿命什么切实其实定不同，Die Size 48GB，闪存寿命是1500 P/E，由于是TLC以是须要ECC标准是更高的LDPC。
Intel 3D NAND全部会利用132-Ball BGA封装，L06B可以从256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的产品，详细的请看上表，不过这款闪存的CE数实在是可以调的，这样可以更随意马虎的做出更大容量的SSD。
闪存有三种事情模式
MLC事情的模式有2-pass和1-pass两种编程模式，默认的是2-pass编程模式，第一次编程lower page的数据写入到NAND阵列里面，而第二次编程则会把upper page的数据写入。
而1-pass编程模式的意思当然便是指一次编程就把lower page与upper page的数据都写入到NAND阵列里面，这样可以节省15%的编程韶光，但是用这种算法的话闪存寿命会比两步编程模式时低一些，低多少并没有详细解释。
而TLC的编程算法则要繁芜很多了，第一步和MLC的一步编程模式相类似，便是直接把lower page与upper page一齐写入到NAND阵列里面，第二步则是写入extra page的数据，由于算法繁芜，第二部编程时须要对数据进行ECC校验。
上面所说闪存的2-pass MLC、1-pass MLC与TLC事情模式是可以用利用指令随时切换的，这对厂家来说闪存的利用会变得非常灵巧，当然了产品的用户是不能这样乱改事情模式的。
至于Intel的3D NAND什么时候会开始供应，今年Q3中旬会开始相各个互助伙伴供应测试样品，MLC/TLC的都有，2015年Q4末开始大规模供货，产品的定价会根据那时的市场情形再决定。
