DDR内存条-来源于网络-图侵删
那么LPDDR关键旗子暗记该如何剖析和接线有哪些哀求呢？
单端旗子暗记哀求走50Ω±10%，个中DQ/DM未单端旗子暗记，DQS为差分旗子暗记，
DQS差分旗子暗记：走线宽度及差分线间距又PCB的叠层阻抗所决定
DQ数据线：DQ线宽由PCB层叠阻抗决定，组行家走间距须要2。W原则(两条线路中央点之间的间隔是线路宽度的两倍)
DQS和DQ走线间距以及不同数据组之间的间距：走线须要大于2W
DQS差异之间的最大延迟：1PS（1ps的延迟在PCB上大概对应6mil，因此，差异之间的等长掌握哀求为5mil不会出错)
DQS和DQ的最大延迟：5PS（1ps的延迟在PCB上大概对应6mil，哀求差分对之间的等长掌握在30Mil以内）
由于CLK与DQS最大延迟可以接管为150ps，也便是说，每个数据组只须要7500mil内等长，但一样平常掌握在120mil以内
数据旗子暗记组为8位为一个字节即为一组，但还须要包括DQS和DQM（DQ0-7，DQM，DQS）
第二组旗子暗记为DQ8-DQ15，DQM，DQS
LPDDR的特点-来源网络-图侵删
时钟走线
差分阻抗为100Ω±10%，线宽与差分线之间的间隔由PCB由叠层决定
由于时钟旗子暗记线不高频，上升边缘很陡，很随意马虎滋扰他人，以是我们须要做3W原则是与其他旗子暗记接线的净宽至少为3倍
差分对最大的延迟为：1PS即6mil，常日按5mil等长设计
时钟CLK与DQS之间许可的最大延迟为：150PS
掌握组
CSN：片选旗子暗记，当CS#为高时，所有旗子暗记无效，为输入旗子暗记，CS的参考电压为VREFFCA
CKE：时钟使能，高使能，低禁止，为输入旗子暗记，CKE的参考电压为VREFFCA
控组旗子暗记走线阻抗掌握为50Ω±10%，走线的宽度由PCB的叠层决定，掌握旗子暗记须要掌握3W原则
掌握旗子暗记与时钟之间的最大延迟为：5PS即30MIL
地址组
地址旗子暗记我们须要掌握阻抗：50Ω±10%，线路宽度PCB叠层是由阻抗需求决定的，须要掌握线之间的宽度3W原则
与SLK最大的延迟为：5ps，即30MIl
在反射率测试系统中，激光粒度计的遮光比不应过大（超过50）或过小（低于）。当遮光比过大时，颗粒浓度过高，随意马虎发生二次散射，丈量结果偏差增加。遮光比过低，样品中颗粒浓度过低，颗粒数量过少，试验结果的代表性很差，可能导致试验结果无效。因此，在测试过程中，应通过重复实验选择遮光比，以得到精确的丈量结果。
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