TechInsights：打破性技能 台积电最前辈的嵌入式RRAM芯片(22ULL eRRAM)来了_纳米_器件

TechInsights拆解了Fanstel EV- BM 15 EV Kit，找到了Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15器件。
自2019年以来，台积电供应了40纳米RRAM平台，现在的22纳米RRAM是台积电的第二代eRRAM。
这是业界首个拥有最前辈的22纳米CMOS技能的RRAM，可与嵌入式STT-MRAM相媲美。

eRRAM内存块密度为17.5 bit/ µm2，位线方向的RRAM层宽度为170 纳米。
RRAM存储层放置在metal 3上。
ReRAM利用电阻作为开关的根本。
与STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新兴存储器件一起，ReRAM是取代嵌入式闪存(eFlash)的紧张竞争者之一。
ReRAM不受辐射的影响，具有很高的电磁耐受性，并且没有泄露问题，由于它不是基于电荷的器件。

ReRAM（RRAM）产品和技能路线图显示台积电22ULL ReRAM

本文源自智通财经