IT之家把稳到，这次互助将使美国政府首次能够得到用于制造尖端芯片的领先技能。双方将互助生产采取英特尔未来 18A 制造工艺的芯片样品，18A 制造工艺常日用于高性能打算和图形处理领域，须要芯片具有强大的运算能力。
制造用于美国国家安全运用的 18A 芯片是英特尔与其 DIB（即国防工业基地）客户互助的一部分，个中包括像诺格公司和波音这样的国防承包商，以及微软、英伟达和 IBM 等商用领域巨子。
18A 是英特尔下一代制程工艺，根据该公司此前公布的信息，其前一代 20A 制程估量将在 2024 年投入生产。英特尔去年年底公布了 18A 制程的关键细节，公司 CEO 帕特・基辛格 (Patrick Gelsinger) 表示 18A 制程的研发进度领先于预期。
英特尔在声明中表示，RAMP-C 项目的第三阶段突显了其 18A 制程技能、知识产权和生态系统办理方案已经为量产做好了准备。基辛格还特殊强调了英特尔 18A 芯片的精良功耗管理能力，认为其优于台积电的 2 纳米制程工艺。
从命名上看，英特尔 18A 制程相称于 1.8 纳米制程。在芯片制造领域，制程越小越好，由于更小的电路可以改进电导率和性能。当代芯片可以在极小的空间内塞下数十亿个晶体管，从而处理更多的数据。
美国国防部微电子工程卖力人谢诺伊博士 (Dr. Dev Shenoy) 表示，五角大楼估量将在 2025 年完成利用英特尔 18A 制程芯片的原型生产。RAMP-C 项目的第三阶段将专注于芯片设计的定型，这是设计流程的末了阶段，工程师将把设计观点转化为辅导芯片制造机器的掩模版。
值得一提的是，英特尔本月初刚刚启动了天下上第一台最前辈的芯片制造设备，名为高数值孔径极紫外 (high NA EUV) 光刻机。英特尔表示，这种设备可以简化设计流程，从而缩短芯片的制造韶光。
