三星3D V-NAND技能再增强SSD固态硬盘容量可翻番_单位_闪存

三星的V-NAND技能放弃了传统的浮栅极MOSFET，改用自家的电荷撷取闪存（Charge Trap Flash，简称CTF）设计，每个单元更小，由于电荷储存在绝缘层而非导体上，理论上单元在不传输数据的时候可以达到0花费，并且，V-NAND的体积更小、可靠性更高。
三星V-NAND闪存的擦写次数可以达到35000次，而目前MLC闪存的擦写次数普遍在3000次旁边，这也便是为什么三星表示V-NAND的可靠性提高了2-10倍旁边的缘故原由。

作为三星的第三代V-NAND技能，每片芯片包含了8530万个单元，每个单元能够存储3bit的信息，换句话说，采取了第三代V-NAND技能的SSD固态硬盘单个芯片能达到256GB的容量，也便是一块SSD硬盘能达到2TB容量。
更大容量的NAND有着更少的滋扰，编程韶光会更短，这意味着性能会提高。
此外，更大容量的NAND的读写不须要那么多次的重试，因此总功耗也会更低。

据悉，三星最新的V-NAND硬盘将首先供应企业用户，并在2016年第1或第2季度投入消费级产品的生产。