低电感电机有许多不同运用，包括大气隙电机、无槽电机和低透露感应电机。它们也可被用 在利用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机须要高开关频率（50-100kHz）来 坚持所需的纹波电流。（找元器件现货上唯样商城）然而，对付50kHz以上的调制频率利用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无 法知足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不足，这就为宽禁带器件首创了新的 机会。
高速电机
由于拥有高基波频率，这些电机也须要高开关频率。它们适用于高功率密度电动汽车、高极 数电机、拥有高扭矩密度的高速电机以及兆瓦级高速电机等运用。同样，IGBT能够达到的最 高开关频率受到限定，而通过利用宽禁带开关器件可能能够打破这些限定。例如燃料电池中 的空压机。空压机最高转速超过15万rpm，空压机电机掌握器的输出频率超过2500Hz，功 率器件须要很高的开关频率（超过50kHz），因此SiC-MOSFET是这类运用的首选器件。
恶劣工况
在电机掌握逆变器中利用宽禁带器件有两个引人关注的益处。第一，它们产生的热量比硅器 件少，降落了散热需求。第二，它们能承受更高事情温度——SiC：600°C，GaN：300°C，而硅芯片能承受的最高事情温度仅为200°C。虽然SiC产品目前存在一些与封装有关的问题，导致它们所适用的事情温度不能超过200°C，但专注于办理这些问题的研究正在进行中。因 此，宽禁带器件更适宜可能面临恶劣工况的电机运用，比如稠浊动力电动汽车（HEV）中的 集成电机驱动器、海底和井下运用、空间运用等
传统的电机驱动中，每每利用IGBT作为开关器件。那么，SiC MOSFET相对付Si IGBT有 哪些上风，使得它更适宜电机驱动运用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐 渐消逝，从而产生拖尾电流，拖尾电流是造成IGBT关断损耗的大的紧张缘故原由。SiC MOSFET 是单极性器件，只有电子参与导电，关断时没有拖尾电流使得SiC MOSFET关断损耗大大低于
IGBT。
开通损耗
IGBT开通瞬间电流每每会有过冲，这是反并联二极管换流时产生的反向规复电流。反向规复 电流叠加在IGBT开通电流上，增加了器件的开通损耗。IGBT的反并联二极管每每是Si PiN二 极管，反向规复电流比较明显。而SiC MOSFET的构造里天然集成了一个体二极管，无需额外 并联二极管。SiC体二极管参与换流，它的反向规复电流要远低于IGBT反并联的硅PiN二极 管，因此，纵然在同样的dv/dt条件下，SiC MOSFET的开通损耗也低于IGBT。其余，SiC MOSFET可以使得伺服驱动器与电机集成在一起，从而摒除线缆上dv/dt的限定，高dV/dt条
件下，SiC的开关损耗会进一步降落，远低于IGBT。纵然是开关过程较慢时，碳化硅的开关损 耗也优于IGBT。
此外，SiC MOSFET的开关损耗基本不受温度影响，而IGBT的开关损耗随温度上升而明显增加。因此高温下SiC MOSFET的损耗更具上风。
再考虑dv/dt的限定，相同dv/dt条件下，高温下SiC MOSFET总开关损耗会有50%~60%的降落，如果不限定dv/dt，SiC开关总损耗最高低降90%。
从导通特性角度看：
SiC MOSFET导通时没有拐点，很小的VDS电压就能让SiC MOSFET导通，因此在小电流条件下，SiC MOSFET的导通电压远小于IGBT。大电流时IGBT导通损耗更低，这是由于随着器件压降上升，双极性器件IGBT开始导通，由于电导调制效应，电子注入引发更多的空穴，电流迅速上升，输出特性的斜率更陡。对应电机工况，在轻载条件下，SiC MOSFET具有更低的导通损耗。重载或加速条件下，SiC MOSFET导通损耗的上风会有所降落。
CoolSiC™ MOSFET在各种工况下导通损耗降落，
假定以下工况，比拟三款器件：
IGBT IKW40N120H3，
SiC MOSFET IMW120R060M1H和IMW120R030M1H。
测试条件
Vdc=600V, VN,out=400V, IN,out=5A–25A, fN,sin-out=50Hz, fsw=4-16kHz, Tamb=25°C, cos(φ)N=0.9, Rth,HA=0.63K/W, dv/dt=5V/ns
M=1,Vdc=600V, fsin=50Hz, RG@dv/dt=5V/ns, fsw=8kHz，线缆长度5m, Tamb=25°C
可以看出，基于以上工况，同样的温度条件下，30mohm的器件输出电流比40A IGBT提高了10A，哪怕换成小一档的60mohm SiC MOSFET，输出电流也能提升约5A。而相同iC开关器件能为电机驱动系统带来的益处总结如下：更低损耗‒降落耗电量，让人们的生活更加环保、可持续。
性能卓越‒实现更高功率密度，通过以更小的器件达到相同性能，来实现更经济的电机设计。
构造紧凑‒实现更紧凑、更省空间的电机设计，减少材料花费，降落散热需求。
更高质量‒SiC逆变器拥有更长利用寿命，且不易出故障，使得制造商能够供应更长的保修期。
末了，英飞凌CoolSiC™能担保单管3us,Easy模块2us的短路能力，进一步担保系统的安全性与可靠性电流条件下，SiC MOSFT的温度明显降落。
