捷捷微电取得一种带有过压斩波特点的可控硅芯片及其制备方法专利提升电路安然性并降低分娩制造成本_可控硅_波特

专利择要显示，本发明公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法，芯片包含中部的N型长基区N1，P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7，隔离墙P1，扩磷区域N2（或扩磷区域N2、N3、N4）等。
尤其所述的：P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开，P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开；P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性，使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件，乃至可以取消前真个TVS保护器件，既提升了电路安全性、又简化了电路器件，且降落生产制造本钱。

本文源自金融界