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美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技能:写入速度比竞品快99%!_速度_技巧

admin 2024-12-28 21:25:39 0

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2024年7月31日,存储芯片大厂美光科技今日宣告,其采取第九代(G9)TLC NAND技能的SSD现已开始出货,成为首家达成这项里程碑的企业。

据先容,美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s为业界之冠,为数据读取及写入供应无可比拟的频宽。
不论是在个人装置、边缘做事器,或是企业及云端数据中央,这颗NAND新品均可展现同级最佳性能,知足人工聪慧及其他利用大量数据的利用情境。

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美光G9 NAND善用业界最高NAND I/O速率,符合事情负载处理大量数据的高吞吐量需求,和市情上现已出货的其他NAND SSD产品比较,数据传输速率加快50%;与现有NAND竞品方案相较,美光G9 NAND的每芯粒写入带宽扩大达99%、读取带宽扩大达88%,从每颗芯粒就占尽上风,自然有助于SSD和嵌入式NAND办理方案的性能及功耗表现。

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(图片来自网络侵删)

美光G9 NAND还延续了前代产品特色,采取11.5mm x 13.5mm封装,体积较竞品缩小28%,成为目前市场上体积最小的高密度NAND,由于密度提高、体积缩小,更能自由设计各种利用场景。

美光技能和产品实行副总裁Scott DeBoer表示:“美光G9 NAND正式出货,证明美光在制程技能与设计创新上的强大实力,相较于目前市情上的竞品,美光G9 NAND的密度提高73%,可建构体积更小、性能更高的储存方案,对消费者和企业均有益。

美光实行副总裁Sumit Sadana强调:“美光已在连续三代产品中,均引领业界推出创新和顶尖的NAND技能。
美光G9 NAND可为其整合产品供应显著优于竞品之表现,并可做为储存创新的根本,为各终端市场客户创造代价”。

美光G9 NAND在美光2650 SSD内发挥同级最佳表现

美光2650 NVMe SSD内置顶级G9 TLC NAND,在PCMark® 10测试[5]中超越竞品,为日常运算供应同级最佳利用者体验。

美光副总裁兼客户端储存奇迹部总经理Prasad Alluri指出:「纵然PCIe Gen4市场理论上近乎饱和,美光2650 SSD采取最新G9 NAND技能,推进TLC客户端SSD的极限,这款硬盘产品在PCMark 10的测试标准中,表现比竞品赶过38%,将重新定义同等级SSD的利用者体验」。

IDC固态硬盘及创新技能研究部门副总裁Jeff Janukowicz表示:“AI演进增加数据天生量,也因此须要更大储存空间,客户亦哀求提升性能,以跟上AI发展速率。
美光2650等SSD产品沾恩于新一代NAND创新,将成为企业和个别消费者不可或缺的关键技能”。

美光2650 NVMe SSD供应领先同级产品的稳定度,主打有助性能的加速缓存,藉由Dynamic SLC Cache,进一步提高写入表现。
美光2650 NVMe SSD为PCIe Gen4供应实际饱和性能,连续读取速率高达7,000 MB/s,相较于竞品,连续读取速率最高提升70%、连续写入速率最高提升103%、随机读取速率最高提升156%、随机写入速率最高提升85 %,这些精良数据突显美光决心打破技能极限,为客户缔造无与伦比的表现。

G9 NAND除了内置于美光2650 SSD供应给客户端OEM,亦可以零组件或嵌入消费者Crucial SSD形式供应给客户,更多干系资讯请见美光G9 NAND and美光2650客户端SSD页面。

编辑:芯智讯-林子

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