电路中电容器的计时效果_暗记_旗子

图1 电容器计时事理

当输入旗子暗记由低向高跳变时，先经由 CMOS 缓冲 1，然后输入 RC 电路。
因电容充电的特性使B点的旗子暗记并不会跟随输入旗子暗记立即跳变，而是有一个逐渐变大的过程。
当变大到一定程度时，经CMOS缓冲2翻转，并在输出端得到了一个延迟的由低向高的跳变，至此便达成了延时效果。
假设上面延时电路没有电容器C，那么旗子暗记波形从低电位向高电位跳变是瞬间发生的，没有韶光差，这里正是利用了电容在充电时电压渐升、放电时电压渐降的特性。