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芯片后端signoff的RC corner指什么?_电容_电阻

落叶飘零 2024-11-16 23:51:29 0

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芯片在事情的时候,不同的工艺、电压、温度会影响芯片的性能,我们不能担保所有芯片都事情在相同的环境中,比如我们的手机在东北要能用,在东北的澡堂子也要能用,以是我们必须要在不同环境下逐一检讨芯片,确保不会涌现缺点才行。
一样平常说来,我们只要检讨几个极度的环境,让芯片事情最快的时候和最慢的时候都知足哀求,那么一样平常的环境也就可以知足。
我们就称这些极度的环境为corner。
一样平常setup检讨要对应最快的corner,hold检讨要对应最慢的corner。

在浩瀚环境成分中,有一项是net的寄生参数RC值,它可以反响net的delay大小。
大学的时候都学过RC电路一阶相应,公式已经不记得了,只记得电路RC值越大,电路充放电越慢,RC越小,充放电越快。
以是一样平常来说,net的电容越小,电阻越小,这段net的delay就越小。

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一段net的R值很随意马虎理解,C值怎么算呢?如果我没记错的话,这里的电容包含三个部分:同层金属线间的耦合电容,导线对地电容,还有一个导线侧面对地的边缘电容。

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(图片来自网络侵删)

要算delay不能大略只看net上的RC值,毕竟供电是从前面的driving cell来的,因此还要考虑driver的RC。
在早期工艺,一样平常cell的R值都远大于net的R值,与C相乘的时候net的R就可以忽略不计,以是对付一条net来讲,它的C是我们要重点关注的,可以说这时候电容占主导地位。
C最大的时候,net delay最大,C最小的时候,net delay最小。
由此我们衍生出两个corner:

cbest(Cmin) cworst(Cmax)

讲到这里我溘然想强调一点,这两个corner都是针对同一条net而言的,便是说实在芯片的net上的RC值并不是一个定值,在实际事情时会在一个范围内浮动,我们通过抽RC的工具就可以确定这个浮动范围,然后选择上面讲的两个极值作为我们的两个RC corner。

而后,随着工艺的进步,cell的R值不再“远大于”net的R值,尤其比拟较长的net,它的电阻已经到了不可忽略的地步,因此再单单选用C的极大极小来代表net delay的极大极小变得不再那么可取,以是我们要综合考虑net的RC情形。
详细过程有点繁芜,为了方便理解,我就讲一下我自己理解的简化版本。
我们要考虑的是(cell电阻+net电阻)(cell电容+net电容),把这个式子展开后可以得到一项cell电阻cell电容,可以先忽略,第二项net电阻net电容,以及cell电阻net电容+cell电容net电阻。
Net上电容和电阻有一定负干系性,外界环境变革时,net电容如果减小,电阻一样平常会变大。
当net的电阻大到一定成都,cell电阻小到一定程度,net上的RC相乘的积就能占主导地位,这个积的极值就可以代表net的delay的极值。
一样平常来说RC最大的时候,C要比Cmax稍眇小一点,R和Rmax差不太多。
这样我们就又有两个corner:

Rcbest rcworst

并不是说在前辈工艺下cbest cworst corner就没用了,实际上,只有当导线比较长的时候,delay的极值才会发生在rcbest和rcworst的corner上,对付短导线、driver电阻很大的时候,cbest和cworst才能反响delay的极值。
以是实际为了稳妥起见,这四个corner我们都会进行signoff。

其余如果考虑DPT(double pattern technology),corner名字后面会再带一个CCworst或者CCbest。
考虑OCV的variation还有可能带一个字母T。
这些便是比较深入的了,我也要连续学习才行呀。
希望本日的文章能对大家有所帮助。

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