问题来了，既然都是将NAND作为存储单元，为何存储卡和SSD硬盘之间的读写性能会存在极大的差异呢？
大略来说，存储卡、手机和SSD固态硬盘内置闪存芯片的封装标准各不相同，比如SSD内的闪存芯片表面积就已经和一些闪存盘的大小相称，存储卡内置的闪存芯片尺寸则更迷你。
一样平常来说，同容量但封装尺寸更大（以是SSD性能先天占优）或单芯片容量越大（内部可组成类似双通道的事情模式）的闪存芯片具备更好的性能潜力，性能越好。
此外，NAND闪存自身也是在不断迭代进化的，2021年主流闪存的性能肯定要比几年前的闪存强很多。
影响闪存自身性能的成分有很多，比如制程工艺、闪存架构、3D堆叠技能等。个中，闪存架构即我们熟习的SLC、MLC、TLC和QLC，目前中高端闪存均以TLC为主，而QLC虽然性能有所降落但凭借本钱上风正在逐渐蚕食TLC闪存的市场。制程工艺和3D堆叠技能相辅相成，最新工艺+96层或144层的3D NAND技能可以将1TB容量封装进一颗NAND闪存芯片里。
如今很多1TB SSD的PCB主板上仅需1颗闪存芯片
下面，咱们就先来理解一下存储卡的速率之谜，如果你对闪存盘感兴趣，可以关注CFan的后续宣布。
存储卡的速率之谜
存储卡包含Secure Digital Memory Card（SD）、Micro SD Card（又称TF）、Compact Flash（CF）、Memory Stick（MS）等诸多形态，但如今依旧盛行的则只剩下了SD和MicroSD（TF），并逐渐衍生出了SDHC（SD2.0）、SDXC（SD3.0）和SDUC（SD7.0）标准。
虽然存储卡轻巧迷你，但它也算“五脏俱全”，除了袒露在外的金手指外，内部还同时封装了主控芯片和闪存芯片。
不过，存储卡的主控只须要实现最根本的功能即可，并不像SSD硬盘那般须要针对闪存颗粒进行读写优化、写入策略优化等，以是尺寸和功耗极低，没什么存在感。
一款存储卡的性能，紧张看它采取的SD规范标准以及总线接口。以通用性最好的MicroSD存储卡为例，目前市情上多以SDXC+UHS-I为主，读取速率普遍在100MB/s~170MB/s之间。
采取UHS-II或UHS-III总线标准的存储卡速率可以媲美SATA SSD，但它们的价格昂贵，而且采取了双排金手指，兼容这类存储卡的设备也多以专业单反相机和摄像机为主。
SD7.x是最新的SD卡规范标准，它们引入了PCIe总线和NVMe协议，读取速率理论可达985MB/s，目前威刚已经推出了符合该标准的Premier Extreme SDXC SD Express存储卡，但SD7.x存储卡的价格更是吓人，兼容这种存储卡的设备也是百里挑一。
总的来说，存储卡是NAND介质存储产品中速率（相对）最慢的，其性能更加依赖终端设备（如手机、相机、条记本）身上的的读卡器以及掌握芯片，而干系的OEM厂商并不愿意在这方面增加预算，以是哪怕存储卡已经有了超高速的SD7.x标准，但至今连UHS-II还未大规模遍及，普通用户更是很难打仗到。
