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专利择要显示,本申请供应了一种铁电存储器、三维集成电路、电子设备,涉及半导体芯片技能领域,提高了电容器的抗滋扰能力。铁电存储器包括电容器,电容器包括第一堆叠层、第一导电柱、第二导电柱、第一铁电层和第二铁电层,第一堆叠层包括相连的第一导电部和第二导电部。第一导电柱贯穿第一导电部,第二导电柱贯穿第二导电部。第一铁电层贯穿第一导电部,且环绕第一导电柱设置,第二铁电层贯穿第二导电部,且环绕第二导电柱设置。该电容器包括串联设置的第一电容器和第二电容器,第一电容器包括第一导电柱、第一铁电层和第一导电部,第二电容器包括第二导电柱、第二铁电层和第二导电部。该铁电存储器可运用于三维集成电路中,以实现对数据的读取和写入。
本文源自金融界


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