1.调幅的几种调制办法是AM、DSB、SSB。
3.集电极调幅,应使被调放大器事情于过压______状态。
5. 电容三点式振荡器的发射极至集电极之间的阻抗Zce性子应为容性,发射极至基极之间的阻抗Zbe性子应为容性,基极至集电极之间的阻抗Zcb性子应为感性。
6. 常日将携带有信息的电旗子暗记称为调制旗子暗记,未调制的高频振荡旗子暗记称为载波,通过调制后的高频振荡旗子暗记称为已调波。
8. 解调是调制的逆过程。振幅调制旗子暗记的解调电路称为振幅检波电路,它的浸染是从高频已调旗子暗记中规复出调制旗子暗记。
9. LC串联谐振回路品质因数(Q)低落,频带变宽,选择性变差。
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16. 混频器按所用非线性器件的不同,可分为二极管混频器、三极管混频器和仿照乘法器混频器等。
17. 在双踪示波器中不雅观察到如下图所示的调幅波,根据所给的数值,它的调幅度应为2/3。
18. 超外差吸收机中,中频频率为465KHZ,当吸收旗子暗记载频为535KHz时,本振频率为1000KHz。
19. 直接调频的优点是频偏大,间接调频的优点是频率稳定度高。
20. 锁相环路由 鉴相器 、 环路滤波器 和电压掌握振荡器组成,它的紧张浸染是用于实现两个电旗子暗记相位同步,即可实现无频率偏差的频率跟踪。
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二、单项选择题(每小题X分,共X分)
1.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调? ( C )
A.单边带调幅波 B.抑制载波双边带调幅波
C.普通调幅波 D.残留边带调幅波
2. 负峰切割失落真紧张是由于( C )造成的。
A.旗子暗记调制度太小 B.检波器RC韶光常数太大
C.检波器交、直流负载不同 D.检波二极管选择不当
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7. 变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变革指数γ( C )为
A.1/3 B.1/2 C.2 D.4
8. 峰值包络检波器在解调高频等幅波时,其低通滤波器的输出电压为 ( B )。
A.正弦波电压 B.直流电压 C.余弦脉冲 D.零电压
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11. 当AM波旗子暗记较大时,检波电路可以选用 ( A )。
A.乘积型同步检波器 B.叠加型同步检波器
C.二极管峰值包络检波器 D.均匀值包络检波器
12. 设石英振荡器的振荡频率介于串联谐振频率与并联谐振频率之间时,石英晶体的 ( C )。
A.等效阻抗为0 B.等效阻抗无穷大 C.等效阻抗成感性 D.等效阻抗成容性
13. MC1596集成仿照乘法器不可以用作 ( D )
A.混频 B.振幅调制 C.调幅波的解调 D.频率调制
14.根据调频波的特性,当单音频调制旗子暗记的振幅和频率均增大一倍时,则调频波的有效带宽将( B )。
A.减小一倍 B.增大一倍 C.不变 D.增大两倍
15. 多级单调谐小旗子暗记放大器级联,将使( B )。
A. 总增益减小,总通频带增大 B. 总增益增大,总通频带减小
C. 总增益增大,总通频带增大 D. 总增益减小,总通频带减小
16. 某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v,最小振幅为6v,则调幅系数
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为 ( C )
A.0.6 B.0.4 C.0.25 D.0.1
17. 若要产生稳定的正弦波振荡,哀求反馈型振荡器必须知足( D )。
A.平衡条件 B.起振条件和平衡条件
C.相位条件和幅度条件 D.起振条件、平衡条件和稳定条件
18. SSB旗子暗记的检波可采取( D )。
A.小旗子暗记检波 B.大旗子暗记检波 C.同步检波 D.以上三种均可
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24. 调幅吸收机采取AFC电路的浸染( A )。
A.稳定中频输出 B.稳定输出电压 C.稳定VCO D.改进解调质量
25. 某丙类谐振功率放大器事情在临界状态,若保持其它参数不变,将集电极直流电源电压增大,则放大器的事情状态将变为 ( D )
A.过压 B.弱过压 C.临界 D.欠压
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17. 双边带(DSB)旗子暗记的振幅与调制旗子暗记的规律成正比。 (√)
18. 集总参数指元件参量与流经它的电流或加于其上的电压的数值无关。( × )
19. 在甲类、乙类、丙类功率放大器中,丙类功率放大器的效率最高。 (√)
20. 调频有两种方法,分别称为直接调频和间接调频。 (√)
21. 调频波的调频指数与调制旗子暗记幅度成正比,与调制旗子暗记频率成反比。(√)
22. 频率合成技能可以在一定频率范围内供应一系列高准确度和高稳定度的频率源( √ )
23. 锁相环路与自动频率掌握电路实现稳频功能时,锁相环路的性能优胜。 (√)
24. 谐振放大器事情在过压状态,现要调度使之事情到临界状态,若其他参数不变,可以增加负载Re来实现。( × )
25. 调频、调相、鉴频、鉴相电路属于非线性频率变换电路。 ( √ )
26. LC回路的品质因数Q值愈小,其选频能力愈强。 (×)
27.克拉泼振荡电路比考毕兹振荡电路的频率稳定度高,是由于克拉泼电路的振荡回路中接入一个电容C3,从而能减小晶体管输入、输出电容对振荡回路的影响。(√)
28. 检波效率
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只对检波电路有关,而与输入旗子暗记大小无关。 (√)
29. 混频电路又称变频电路,在变频过程中改变的只是旗子暗记的载频。 (×)
30. 单边带通信之以是得到广泛的运用,是由于它与普通调幅波比较大大节省了能量,而且霸占频带压缩了。( × )
四、简答题(每小题5分,共X分)
1、通信系统由哪些部分组成?各组成部分的浸染是什么?
答:通信系统由输入、输出变换器,发送、吸收设备以及信道组成。
输入变换器将要通报的声音或图像变换为电旗子暗记(基带旗子暗记);
发送设备将基带旗子暗记经由调制等处理,并使其具有足够的发射功率,再送入信道实现旗子暗记的有效传输;
信道是旗子暗记传输的通道;
吸收设备用来恢复原始基带旗子暗记;
输出变换器将经由处理的基带旗子暗记重新规复为原始的声音或图像。
2、小旗子暗记谐振放大器与谐振功率放大器的紧张差异是什么?
答:1)小旗子暗记谐振放大器的浸染是选频和放大,它必须事情在甲类事情状态;而谐振功率放大器为了提高效率,一样平常事情在丙类状态。
2)两种放大器的剖析方法不同:前者输入旗子暗记小采取线性高频等效电路剖析法,而后者输入旗子暗记大采取折线剖析法。
3、引起高频小旗子暗记放大器事情不稳定的缘故原由是什么?用什么办法战胜?
答:晶体管存在反向传输导纳Yre≠0, 使输出电压可以反馈到输入端, 引起输入电流的变革, 从而可能引起放大器事情不稳定。如果这个反馈足够大, 且在相位上知足正反馈条件, 则会涌现自激振荡。
为了提高放大器的稳定性, 常日从两个方面动手。
一是从晶体管本身想办法, 减小其反向传输导纳Yre值。
二是从电路上设法肃清晶体管的反向浸染, 使它单向化。 详细方法有中和法与失落配法。
4、当谐振功率放大器的输入勉励旗子暗记为余弦波时,为什么集电极电流为余弦脉冲波形?
但放大器为什么又能输出不失落真的余弦波电压?
答:由于谐振功率放大器事情在丙类状态(导通韶光小于半个周期),以是集电极电流为周期性余弦脉冲波形;但其负载为调谐回路谐振在基波频率,可选出ic的基波,故在负载两端得到的电压仍与旗子暗记同频的完全正弦波。
5、高频已调波旗子暗记和本机振荡旗子暗记经由混频后,旗子暗记中包含哪些身分?如何取出须要的身分?
答:高频已调波旗子暗记和本机振荡旗子暗记经由混频后,旗子暗记中包含直流分量、基波分量、谐波、和频、差频分量,通过LC并联谐振回路这一带通滤波器取出差频分量,完成混频。
6、二极管大旗子暗记峰值包络检波器的非线性失落真有哪些?避免失落真的缘故原由及条件是什么?
答:惰性失落真和底部切削失落真。
避免惰性失落真:在任何一个高频周期内,使电容C通过R放电的速率大于或即是包络的低落速率
避免底部切削失落真:检波器互换负载与直流负载之比应大于调幅波的调制度m
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解: 1.该电路是变频器, 调节可变电容C1a、C1b使本振回路与输入调谐回路谐振频率差一个中频
2. L4、C3、C5和可变电容C1b组成本振回路, C4、L5组成中频回路
3. L3的是本振部分的反馈线圈,对中频频率近于短路. C1是旁路电容, C2的是耦合电容. 事情事理:由磁性天线吸收到的电磁波,通过线圈LA耦合到输入回路,选出所需的旗子暗记,再经电感L1L2耦合,加到管子的基极.中频回路C4L5并联阻抗对本振频率来说可认为短路.这个电路对本振而言是属于基极接地互感反馈振荡电路.本振电压通过C2加到发射极,而旗子暗记由基极输入,所以是发射极注入基极输入式的变频电路.