最近，加拿大半导体和微电子行业剖析机构TechInsights，就又创造了一个中国企业的巨大造诣：中国长江存储在市场上率先推出了首款200层以上的3D NAND闪存芯片，成功反超韩国三星电子、SK海力士以及美国镁光等紧张竞争对手，在技能上成为这个半导体细分领域的环球领导者。
（长江存储已经在业界率先量产超过300层的3D NAND闪存芯片X3-9070）
根据TechInsights最新发布的《颠覆性事宜》报告，该机构在今年11月对中国监控设备制造商杭州海康威视数字技能有限公司的2 TB SSD固态硬盘进行了逆向工程剖析，创造了长江存储最新NAND闪存芯片的证据，在报告中称其为Xtacking 3.0技能，估计堆叠层数为232层。实际上长江存储在2022年的闪存峰会（FMS）上就正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，型号为X3-9070。比较上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度和更快的I/O速率。
但是按照半导体行业的一样平常规律，常日来说从技能发布到产品上市还须要一段韶光，此前业内预测长江存储的X3-9070闪存芯片要到2023年才会上市，但是没想到这么快就已经在市场上见到了。根据海内媒体宣布，除了海康威视的SSD产品以外，我们国产的致态TiPlus7100系列SSD也利用了X3-9070芯片。
（2022年第二季度环球NAND闪存芯片市场领先企业的利润和市场霸占率）
根据行业媒体的统计，2022年第二季度环球NAND闪存芯片市场领先企业分别是韩国三星（市场霸占率33%），韩国SK集团（市场霸占率19.9），日本铠侠（市场霸占率为15.6%），西数（市场霸占率13.2%）和美国镁光（市场霸占率12.6%）。韩国企业在NAND闪存芯片领率已经霸占了环球一半旁边的市场。长江存储目前还属于新人，市场霸占率不高。
作为行业领先企业，今年镁光、SK海力士和三星电子先后推出了200层以上的3D NAND闪存办理方案。个中最早发布技能的是镁光，在今年5月就宣告推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，并且声称准备在2022年末开始生产，初始容量为1Tb（128GB）；到了今年8月份，SK海力士宣告已研发成功环球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向互助伙伴发送512Gb TLC 4D NAND芯片的样品；三星半导体在11月宣告已开始批量生产采取第8代V-NAND技能的1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层。
（业内预测的闪存堆叠技能的发展韶光表，长江存储成为一匹黑马）
但是这些企业的产品都还没有在零售市场露面，没想到让长江存储领先上市。TechInsights评论称，这种前辈的技能使这家中国公司成为了一个“严明的竞争者”，它正在“逼近环球存储巨子，”并且估量长江存储将在2030年前成为闪存芯片市场的环球领导者。长江存储的上风包括通过Xtacking技能实现更大的存储空间和更短的开拓韶光。报告称：“在长江存储的Xtacking技能中，存储器阵列被翻转并结合到CMOS（互补金属氧化物半导体晶体管）上。”“长江存储声称，这种方法将产品开拓韶光至少缩短了三个月，并将生产周期缩短了20%。”
（NAND闪存和DRAM内存芯片的半导系统编制程工艺发展路径）
但是TechInsights的报告也警告称，只管取得了造诣，但“长江存储仍旧面临着一场困难的战斗”，由于美国政府最近的行动可能会严重影响该公司的“大规模生产，并迅速发展下一代技能”的能力。10月，美国商务部下属机构工业和安全局（BIS）更新了与“未经核实名单”和美国出口黑名单（官方称为实体名单）干系的政策。长江存储和其他30家中国半导体企业被列入“未经核实名单”，这些企业可能会在采购半导系统编制造设备时被美国政府卡脖子。家当剖析机构Omdia认为，如果美国政府连续加强对长江存储的审查，就有可能“将长江存储的技能冻结在当出息度”。
不过，NAND闪存芯片并不像CPU那样的逻辑芯片一样追求缩小半导体工艺线宽，在可见的未来都会勾留在10纳米以上，这样的半导体工艺利用浸没式DUV光刻机就可以完成。而荷兰ASML已经谢绝了美国政府的禁运哀求，连续向中国企业供应浸没式DUV光刻机。此外，日本尼康也拥有浸没式DUV光刻机产品，也可以向中国企业供货。因此长江存储是有机会冲破美国政府的禁令的。
但是，这一项关键设备仍旧节制在西方国家手中，仍旧存在隐患。最稳妥的办法，还是期待我们国产的浸没式DUV光刻机面世，以及将前辈半导体生产所需的十几种设备和几十种质料全面国产化。这一天并不迢遥。
