资料图（来自：Intel）
外媒指出，只管当前芯片代工大厂已经在 7nm 或 5nm 工艺工艺节点上供应了相称大的产能，但包括台积电（TSMC）和格罗方德（GlobalFoundries）在内的诸多企业，仍在努力占领基于下一代环抱栅极晶体管（GAA）技能的 3nm 和 2nm 工艺节点。
据悉，GAA-FET 的优点在于更好的可扩展性、更快的开关韶光、更优的驱动电流、以及更低的透露。不过对付制造商们来说，FinFET 仍是大有可图的首选技能。
比如在去年的研讨会上，台积电就流传宣传其 N3 技能可在提升 50% 性能的同时、降落 30% 的功耗，且密度是 N5 工艺的 1.7 倍。
早前称，该公司操持在 2024 年之前做好 2nm 制程的量产准备。不过借助久经磨练的、更可预测的工艺节点，台积电也有充足韶光去考验 GAA-FET 在 2nm 节点下的运用前景。
GAAFET 横截面（图自：IBM）
与此同时，Semiconductor Engineering 称三星和英特尔也在努力实现从 3nm 到 2nm 工艺节点的过渡，且三星有望在 2022 年底前完成。
TechSpot 指出，GAA-FET 有诸多类型，目前已知的是，三星将采取基于纳米片的多桥沟道场效应晶体管（简称 MBC-FET）的方案。
MBC-FET 可视作 FinFET 的侧面翻转，特点是将栅极包括于衬底上成长的纳米硅片，而英特尔也表露了将于 2025 年采取基于“纳米丝带”（nanoribbons）的类似方案。
当然，在接替鲍勃·斯旺（Bob Swan）的新任 CEO 帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的带领下，英特尔或许能够加速向新工艺的转进。
末了，在让 FinFET 和 GAA-FET 携手并进的同时，芯片制造商或许还会动用锗（Ge）、锑化镓（GaSb）、砷化铟（AsIn）等具有高迁移率特性的半导体材料，来送“摩尔定律”末了一程。
