保护器件之-过压保护OVP芯_电压_芯片

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-----本文简介-----

紧张内容包括：

----- 正文 -----

一、基本事理

1. 过压保护芯片运用处景

前文先容到了瞬态抑制二极管TVS， 也在文章中先容到TVS的局限性，点击括号内链接跳转阅读，其他平台请转到"大众年夜众号阅读（保护器件之-瞬态抑制二极管TVS（前篇）），如下图，5V电源给后级电路供电，假设后级电路最大耐压7V,如果想进行过压保护，若用额定电压5V以上的TVS，其钳位电压会超过10V，起不到过压保护的浸染，此时OVP芯片就起到了浸染。

2. OVP芯片基本事理

如下图是一款OVP芯片的内部框图，基本逻辑是当输入电压过大时，内部逻辑及驱动电路将关断MOS管，此时输入与输出将断开，起到保护浸染。

UVLO（Under Voltage Lock Out），指低电压保护；OVLO（Over Voltage Lock Out），指过压保护OVP，此芯片同时支持低压与过压保护。
OTP（Over Temperature Protection），指过温保护；

过压保护示意图如下：

二、OVP芯片关键参数

1. 输入电压VIN

供电电压不能超过输入电压VIN。

2. 过压保护电压VOVLO

VOVLO须要大于后级被保护的电压范围并且留有一定裕度。
有的OVP是固定电压，而有些是可调的VOVLO。

3. 导通电阻Ron

导通电阻Ron是非常关键的参数，由于电流会通过MOS，以是导通电阻就决定了经由MOS后的压降，并且由于有功率损耗，导通电阻也会决定芯片发热量大小。
假设导通电阻200mΩ，那么在1A电流下就会有0.2V的压降，在一些设计中这个是很大的压降，因此这个参数一定要把稳。

4.关断韶光Toff

当IC创造过压到关断输出存在一定的韶光差，这个韶光关断韶光，这个韶光在几十纳秒级别，韶光越短越不随意马虎破坏后级设备。

三、OVP芯片运用

1. 基本参数

基本参数自不必说，输入电压不能超过额定最高输入电压，同时VOVLO应低于后级电路最高输入电压。

2. 热设计

由于有内阻存在，因此须要考虑到热设计成分，须要参数：热阻、导通内阻Ron等，点击括号内链接跳转阅读，其他平台请转到"大众年夜众号阅读：（IC与器件的热设计)。

3. TVS

由于OVP芯片输入电压也有限，为了防止静电等成分导致OVP芯片烧毁，可以在输入端加入一个TVS，此TVS的额定电压（反向截止电压VRWM）该当高于此电路输入电源电压，钳位电压Vclamp该当低于OVP芯片的最高输入电压。

4. 输入输出电容等

输入输出电容按照规格书参考设计即可，但要把稳的是MLCC电容的特性。
可以阅读此前文章：点击括号内链接跳转阅读，其他平台请转到"大众年夜众号阅读：（1. 陶瓷电容的直流偏压特性 / 2. 陶瓷电容的温度特性)。

5. 事理图示意

四、扩展

其余还有内置TVS的OVP芯片，自带ESD功能，同时还有的OVP芯片带EN使能的芯片，可以当作电源开关利用等。
其他扩展功能的OVP芯片，可以关注艾为、维安以及ADI等公司获取更多。

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------作者注------

由于作者事情不久，履历不敷，因此文章多是理论现学现卖，定有理解不足深入或者涵盖面不敷之处，望有履历的工程师能在评论区指出不敷，我会针对性深入学习并再后续文章中更正，以求不要误导读者，在这里先感谢各位。

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