图1：帝奥微电子产品奇迹部总监庄华龙在揭橥演讲。
目前最主要，运用也最广泛的仿照工艺技能非BCD工艺莫属。它是一种单芯片集成工艺技能，1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功。
BCD工艺的特点是将硅平面工艺用到功率集成上，是一种可以将双极、CMOS和DMOS器件同时集成到单芯片上的技能。在功率运用领域，与传统的双极功率工艺比较，BCD工艺具有显著的上风，最基本的上风便是使得电路设计者可以在高精度仿照的双极器件，高集成度的CMOS器件和作为功率输出级的DMOS器件之间自由选择。由于DMOS具有高效率（低损耗）、高强度（无二次击穿）、耐高压和固有的源漏二极管的存在（浸染类似续流二极管）和高速的开关特性，因此，DMOS特殊适宜作为功率开关器件，而且其制造工艺可以和硅栅CMOS制造工艺兼容，从而有利于功率集成。整合好的BCD工艺可大幅降落功耗，提高系统性能，增加可靠性和降落本钱。
经由三十多年的发展，BCD工艺技能已经取得了很大进步，从第一代的4微米BCD工艺发展到了第六代的0.13微米BCD工艺，线宽尺寸不断减小的同时，也采取了更加前辈的多层金属布线系统，使得BCD工艺与纯CMOS工艺发展差距缩小；另一方面，BCD工艺想着标准化模块化发展，其基本工序标准化，稠浊工艺则由这些基本工序组合而成，设计职员可以根据各自的须要增减相应的工艺步骤。目前的BCD工艺中的CMOS与纯CMOS可完备兼容。
总的来说，今后的BCD工艺紧张向着高压、高功率和高密度三个方向发展，同时提高与CMOS工艺的工艺兼容性。在庄华龙看来，目前BCD工艺技能水平最好的基本都是欧美公司，而且紧张以设计、工艺制造为一体的IDM模式为主，其次为日本、韩国，中国台湾和大陆的代工企业。
紧张的厂商包括：
美国：德州仪器（TI）、亚德诺半导体（ADI）、安森美（ON Semi+Fairchild）等；
欧洲：意法半导体（ST）、恩智浦（NXP）等；
日本：东芝等；
韩国：东部高科（DBH）和海力士等；
中国台湾：台积电（TSMC）、联华电子（UMC）等；
中国大陆：中芯国际（SMIC）、华润上华（CSMC）、和舰（HJTC）、华虹宏力（HHNEC），以及积塔半导体等。
图2：环球各地区的BCD工艺发展趋势图。
庄华龙指出，在非IDM的晶圆代工企业中，中国台湾的台积电和东部高科属于BCD工艺的第一梯队领跑者，他们与欧美IDM企业之间的差距已经很小，乃至在某些方面更加精良；而中国大陆的BCD工艺技能与他们仍旧有着一代工艺（3~5年）的差距。
就目前来说，市场上对仿照器件的哀求越来越高，紧张有以下几个方面：
首先是低功耗，设备的续航能力与仿照器件的功耗直接干系，因此我们须要更低功耗的仿照器件；
二是高速，随着数据传输量的增加，须要仿照器件支持更高的带宽，来切换各种功能；
三是高集成度，功能的增加就意味着器件数量的增加，或单器件的面积增加，要保持现有设备的体积不变乃至更小，须要器件的集成度越来越高；
四是核心部件开拓，我们须要研发性能指标更高，更核心器件来提高国产器件的国际竞争力。
末了，庄华龙还先容说，帝奥微电子是一家仿照和稠浊旗子暗记集成电路设计公司，目前有电源管理、旗子暗记链和ACDC照明三条产品线。
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