这篇文章先容LMC555定时器芯片是如何事情的，从芯片上眇小的晶体管和电阻到构成其的功能单元如比较器和镜像电流源。广泛利用的555时基集成电路被认为是天下上卖地最好的集成电路，自从1970年仿照电路大师Hans Camenzind
设计出该款芯片，自今已经售出数十亿片。LMC555是一款低功率CMOS工艺555芯片。不像传统的双极型三极管，CMOS芯片是由低功耗MOS管构成的。通过仔细地研究图片模型，我们将理解它的事情事理。
集成电路的构造
下面的图片是LMC555的硅基模型在显微镜下不雅观察得到的，紧张功能单元均已标记（来自Zeptobars的照片）。模型非常小，仅仅1mm见方。个中玄色的大圈是芯片与外部引脚的连接部分。一层薄金属层将芯片的各个部分连接在一起。在图中，金属便是那些清晰可见的白色线条和区域。芯片上不同的部分被标记不一样的颜色。芯片的不同部件是通过向硅基中掺入不同的杂质来改变其特性而制成得。N型半导体具有过量的电子（使其为负），而P型半导体缺少电子（使其为正）。硅基顶部门歧颜色标记的是多晶硅线路。硅片和多晶硅是芯片的主体部分，其上是各种由金属层连在一起的晶体管和电阻。
LMC555各个功能块
555定时器的简要解释
555芯片是极其多用场的芯片，有着多达数百的不同运用包括时基计时或是开关以及电压掌握的振荡器和调节器。我将通过最大略的电路振荡器——以一个固定的频率循环往来来往的电路，来阐明芯片的功能。
用下面的图来解释555芯片用作振荡器的内部运作。外部连接的电容将不断地充电、放电从而产生振荡。在芯片内部，三个电阻构成分压器产生相对供电电压的1/3和2/3的参考电压。外电容将在该范围内充、放电，进而产生振荡，如左边的图片所示。更为详细的是：电容器将通过外部电阻器缓慢充电（A段），直到其电压达到2/3参考值，在B点，阈值（上）比较器切换触发器关闭输出，这将打开输出晶体管，致使放电晶体管导通使电容缓慢放电。当电容电压达到1/3参考电压（D点）时，触发下比较器连通，同时使触发器和输出处于通路，如此循环往来来往。电阻和电容的值决定计时（即周期），从微秒到数小时。
555振荡器事情事理
总的来说，555时基电路的关键部件是检测电压高下界的比较器，设置该界线的分压器，记录充放电状态的触发器以及放电晶体管。555时基电路还有2个上面尚未提及的针脚（置位和电压掌握端），它们是用于其他更繁芜电路的。
IC内的晶体管
像大多数集成电路一样，CMOS 555定时器芯片由两种类型的晶体管PMOS和NMOS构成。比较之下，经典的555定时器利用了旧技能的双极型晶体管（NPN管和PNP管）。CMOS利用地非常广泛，由于它的功率远低于双极型晶体管。CMOS晶体管可以非常密集地集成在芯片中，不会过热，这便是为什么CMOS自20世纪80年代以来就统治了微处理器市场。只管555不须要很多晶体管，但是低功耗仍旧是一个上风。
下图显示了芯片中的NMOS晶体管，其截面如下。由于晶体管是由重叠层构成的，因此模型图有点难以理解，但横截面该当有助于解释。硅片的不同颜色表示已被掺杂以形成N和P区的区域。绿色矩形--硅上方的一层是多晶硅。白色的矩形是顶部的金属层。电极是层之间的连接部分。
LMC5555 CMOS定时芯片中的NMOS晶体管的构造
MOS晶体管可以被认为是基于栅极上的电压来连接或断开源极和漏极的开关。晶体管由已经掺杂为负极（N）的两个矩形的硅带组成，嵌入不才面的P型硅基中。栅极由漏极与源极之间的部分和其表面的导电多晶硅层组成。栅极通过非常薄的绝缘氧化物层与下面的硅分离。如果在栅极加上电压，则会产生电场，该电场会改变栅极之下的硅半导体的特质，从而形成电流导通层。照片还显示出金属层连接到源极，以及“电极”，其穿过绝缘氧化物将硅层连接到金属层。
第二种晶体管是PMOS，如下所示。PMOS晶体管在许多方面与NMOS相反;因此它们被称为互补MOS管，便是CMOS中的Ç（互补）。PMOS管由嵌入在N型硅基中的P掺杂硅的源极和漏极构成。当晶体管栅极上为低电压时（与NMOS高电压相反）导通，导致电流从源极流到漏极。连接源极、栅极和漏极的金属层下面清晰可见，其上有通到底层的圆形通孔。（请把稳，右侧的图不是横截面，而是简化的“俯视图”。）在芯片模型图片中，NMOS晶体管为蓝色，栅极为绿色，PMOS晶体管为橙色，栅极为粉色。
LMC555 CMOS定时芯片中的NMOS晶体管的构造，右侧为简化模型
555中的输出晶体管远远大于其他晶体管，并且具有不同的构造以产生高电流输出。下面的照片显示了一个输出晶体管。把稳到源极（外侧）和漏极（中央）之间栅极的Z字形构造。还可以看到，漏极的金属层在右边是窄的，并且随着它离开晶体管而变宽，以便承载逐渐增加的电流。
LMC555 CMOS定时芯片中的大型NMOS输出晶体管
各种符号用于在事理图中表示MOS晶体管;下图显示了个中的一些。在本文中，我利用的是突出显示的那一组。
用于MOS晶体管的各种符号
如何在硅中实现电阻
电阻是仿照电路的关键部件。不过，IC中的电阻很大，且不准确;在两片相同的芯片中，对应的电阻的阻值可能相差50％。因此，仿照IC中，考虑的电阻的相比拟例而不是绝对值。这样设计，纵然该阻值随制造条件而变革，这些比率也险些保持恒定。
组成CMOS定时器等分压器的电阻
上图显示了在芯片中组成分压器的电阻。有六个50kΩ电阻串联连接形成三个100kΩ电阻。电阻是浅白色的垂直矩形。在每个电阻器的末端，通孔和P +硅阱（粉赤色方形）将电阻器连接到金属层，进而将它们连接在一起。电阻本身可能是P掺杂硅。
为了减小电流，CMOS芯片利用100kΩ电阻，远大于双极型555定时器中的5kΩ电阻。听说，555芯片因此这三个5K电阻命名的，但其设计师却说555只是500芯片系列中的任意数字。
IC组件：镜像电流源
在仿照IC中有一些非常常见的子电路，但是咋一看彷佛很神秘。镜像电流源便是个中之一。如果你看过仿照IC框图，你可能已经见到过下面的表示镜像电流源的符号了，并想知道镜像电流源是什么，以及为什么要利用它们。
镜像电流源符号
镜像电流源的想法是如果有一个已知的电流，然后可以利用大略的晶体管电路“克隆”多个电流副本。镜像电流源的常见用场是代替电阻。如前所述，IC内不随意马虎制造大电阻，且不准确。利用镜像电流源还可以尽可能节省空间。此外，镜像电流源产生的电流险些完备一样，而不像两个电阻产生的电流存在较大差异。
下面的电路将会阐明如何用三个相同的晶体管实现镜像电流源。参考电流流经右侧的晶体管。（在这种情形下，电流由电阻设定）由于所有的晶体管都具有相同的发射极电压和基极电压，以是它们将产生相同的电流，因此左侧的电流与右侧的参考电流相匹配。为了得到更大的灵巧性，可以修正镜像电流源中晶体管的相对尺寸，使镜像电流大于或小于参考电流。CMOS 555芯片利用各种晶体管尺寸来掌握电路中的电流。
由PMOS晶体管组成的镜像电流源，左侧两个晶体管镜像右侧由电阻掌握
的电流
下图显的是LMC555芯片中的一个镜像电流源，由两个晶体管组成。每个晶体管实际上是并联的两个晶体管，这是芯片中的常见技巧，以是物理上来看有两对晶体管。要看到晶体管有点困难，由于金属层覆盖个中的一部分，但希望这个描述是故意义的。从顶部开始，第一个晶体管所在的宽矩形构成了源极，栅极1和漏极1。把稳将金属层连接到源极的通孔。下一个晶体管共享漏极1，接下来是第二个栅极1和源极。由于这两个晶体管共享漏极，并且源极和栅极相互连接，以是两个晶体管有效地形成一个较大的晶体管。同样地，接下来的是并联de两个晶体管：源极，栅极2，漏极2，。
LMC555芯片中的两对PMOS晶体管形成镜像电流源
右侧的事理图显示了如何将晶体管连接在一起作为镜像电流源。如果仔细看左侧照片，可以看到单个多晶硅条带蛇形地来回形成所有的栅极，以是栅极是连接在一起的。在右侧，上部金属条将漏极1和栅极连接到电路的别的部分。下部金属条连接漏极2。
IC组件：差分放大电路
要理解的第二个主要电路是差分放大电路，仿照IC中最常用的双晶体管子电路。你可能想知道一个比较器如何比较两个电压，或运算放大器如何做两个电压相减。这些便是差分放大电路的功能。
差分放大电路的大略示意图
以上示意图显示了一个大略的差分放大电路。底部的电流源供应固定负电流I，其在两个输入晶体管之间分开。如果输入电压相等，电流将分成两个相等的岔路支路（I和I）。如果个中一个输入电压比另一个高，相应的晶体管将导通更多的电流，以是一个岔路支路得到更多的电流，另一个岔路支路变得更小。小的输入差异足以将大部分电流勾引到“得胜”岔路支路，从而使比较器打开或关闭。芯片在两个岔路支路上利用镜像电流源而不是电阻，其充当有源负载并增加放大倍数。
反相器和触发器
虽然555是仿照电路，但它包含一个数字触发器来记住它的状态。触发器由反相器（大略的逻辑电路将1变为0，反之亦然）构成。555利用标准CMOS反相器，如下图所示。
CMOS反相器的构造：顶部的PMOS晶体管和底部的NMOS晶体管
反相器由两个晶体管构成。如果输入为0（即低电压），则顶部的PMOS晶体管导通，将正电源连接到输出端，产生1输出；如果输入为1（高电压），则底部的NMOS晶体管接通，连接地端，产生0输出。CMOS的神奇之处是电路险些没有能量花费。电流不通过栅极（由于绝缘氧化物层），仅当输出改变状态时，唯一的功率花费是眇小的脉冲，以对导线形成的电容进行充电或放电。
下图显示的是触发器。两个反相器连接在一个回路中以形成锁存器。如果顶部反相器输出1，则底部输出0，形成稳定的循环。如果顶部反相器输出0，则底部输出1，如此形成稳定的循环。
LMC555 CMOS定时芯片中触发器的电路图
要变动存储在触发器中的值，只需将新值逼迫写进入锁存器，即可用强力重写现有值。为此，底部的反相器是“弱”的，利用低电流晶体管。这许可置位端或复位端输入使弱反相器过压，并且锁存器将立即翻转到精确的状态。R（复位）和S（置位）输入来自比较器，并通过晶体管将锁存器输入为高或低。复位旗子暗记来自输入引脚，并通过二极管将锁存器输入高电平;复位反相器的输出电流由镜像电流源掌握。复位将S拉低，阻挡S端抵牾的输入。
CMOS 555与传统双极型555比拟
常用的555定时器是在1970年设计的，而CMOS工艺（ICM7555）直到1978年才发布。本文中描述的LMC555在1988年旁边涌现，而模型是的1996年。
下面的图像将同规模的经典的555定时器（左）与CMOS LMC555（右）进行比较。虽然双极芯片由通过金属层连接的硅构成，但是CMOS芯片具有附加的多晶硅互连层，这使得芯片看起来上更加繁芜。CMOS芯片较小，并且在底部和右上方有很多未被利用的空间，因此可以做得更小。CMOS晶体管比双极晶体管繁芜得多。除了输出晶体管，双极型晶体管都是大略的独立单元。比较之下，大多数CMOS晶体管是由两个或更多个并联的晶体管构成的。经典555利用比CMOS 555更多的电阻，分别为16、4个。
模型照片：同规模的555定时器（左）和CMOS 555定时器（右）
可以从照片中看到CMOS芯片中的功能块较小。常规555中的最小线为10-15μm，而这在CMOS芯片中为6μm。更高等的芯片在1996年采取350nm工艺（约17倍），因此LMC555无处不在CMOS技能的尖端。
这些芯片比较较，反响出CMOS的功耗上风。标准555定时器常日利用3 mA电流，而此CMOS工艺的仅利用100μA（其他类型的低于5μA）。555的输入可以达到0.5μA，而CMOS版本的输入利用非常低的10pA，相差四个数量级。较小的输入“穿透”电流许可CMOS更长的延迟。
结论
起初，芯片的照片看起来太过繁芜。但仔细看看LMC555 CMOS定时器芯片的模型可以看出构成电路的组件。可以把PMOS和NMOS分别拿出来管，理解它们的事理以及如何组合到电路中，并理解全体芯片的事情事理。由于CMOS芯片具有经典双极555芯片中不存在的多晶硅层，因此须要更多的努力来理解CMOS芯片。但从根本上说，两个芯片都利用类似的仿照功能块：镜像电流源和差分放大电路。如果你创造这个CMOS工艺的555芯片看起来很有趣，那么你还该当看看我的经典555芯片的拆卸。感谢Zeptobars的CMOS芯片的模型照片。
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原文：http://bbs.pediy.com/thread-217425.htm
译 / 看雪翻译小组 StrokMitream
