专利择要:本发明供应了一种LED芯片及其制备方法,所述第二电极层叠于所述发光台面的部分表面,且在所述发光台面中,所述第二电极及与其间隔最短的棱角所形成的区域为强电流密度区;通过在除所述强电流密度区以外的发光台面表面构建透明导电层。从而,有效降落强电流密度区的电场,抑制该区域外延叠层的电化学水解,在长期运用中,大大降落逆电极脱落以及芯片短路,提高芯片在逆偏压状态下的稳定性,增强其可靠性。
今年以来乾照光电新得到专利授权17个,较去年同期增加了54.55%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了1.21亿元,同比增6.42%。

数据来源:企查查

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