（图片来源：艾比森官网，下同）
1 超高清时期，新一代显示技能Micro LED来临
Micro LED 是将 LED 显示屏微缩化到微米级的显示技能，具有高亮度、高比拟、广色域、龟龄命和高可靠性等优点，被认为是近乎完美的显示技能，其亮度和节能上风在0.X英寸和X英寸的可穿着产品上有广阔的运用前景，以苹果为代表，有望将Micro LED技能用于Apple Watch等2C产品中；而可实现无缝拼接的特点使得Micro LED成为85英寸以上的大尺寸电视产品的最佳办理方案。目前，包括索尼、三星以及海内一些显示厂商均已推出基于Micro LED技能的大尺寸消费级产品。
其余，随着点间距的减小，特殊是Micro LED技能的发展，LED显示屏超高清化已经成为趋势，显示画质越来越细腻，运用处景也从传统的工程级向商显和高端消费级扩展，如2B显示的运用处景电影院、阛阓、会议室、掌握室等室内大屏、户外显示等。可以窥见，Micro LED因其独特的上风，在2C和2B市场均有极强的竞争力。传统的面板厂商和LED显示屏厂商均在积极布局这一技能，作为环球领先的至真LED显示运用与做事供应商的艾比森也不例外。目前艾比森面向环球发布的Micro LED商用显示产品是2K 55英寸（P0.6），2K 73英寸（P0.8），2K 82英寸(P0.9)，4K 110 英寸(P0.6)，4K 138英寸（P0.7），4K 165英寸(P0.9)，8K 220英寸(P0.6)等产品。
Micro LED显示技能可以认为是传统LED显示屏的微间距化和高清化，Micro LED 显示将眇小的LED晶体颗粒作为像素发光点，LED芯片构造和封装办法直接影响着Micro LED显示器件的性能。
2 Micro LED发光芯片构造比拟
LED芯片常日由衬底、P型半导体层、N型半导体层、P-N结和正负电极组成，当在正负电极之间加正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子在P-N结处复合，电能转换为光能，发出不同波长的光。LED芯片的构造紧张有正装构造、倒装构造和垂直构造三种，图1为三种芯片构造示意图。
图1：芯片构造示意图
（1）正装芯片构造
正装芯片是最早涌现的芯片构造，该构造中从上至下依次为：电极，P型半导体层,发光层，N型半导体层和衬底，该构造中PN结处产生的热量须要经由蓝宝石衬底才能传导到热沉，蓝宝石衬底较差的导热性能导致该构造导热性能较差，从而降落了芯片的发光效率和可靠性。正装芯片构造中p电极和n电极均位于芯片出光面，电极的遮挡会影响芯片的出光，导致芯片发光效率较低；正负电极位于芯片同一侧也随意马虎涌现电流拥挤征象，降落发光效率；此外，温度和湿度等成分可能导致电极金属迁移，随着芯片尺寸缩小，正负电极间距减小，电极迁移可能导致短路问题。
（2）倒装芯片构造
倒装芯片构造从上至下依次为蓝宝石衬底、N型半导体层,发光层，P型半导体层和电极，与正装构造比较，该构造中PN结处产生的热量不经由衬底即可直接传导到热沉，因而散热性能良好，芯片发光效率和可靠性较高；倒装构造中，p电极和n电极均处于底面，避免了对出射光的遮挡，芯片出光效率较高；此外，倒装芯片电极之间间隔较远，可减小电极金属迁移导致的短路风险。
（3）垂直构造芯片
与正装芯片比较，垂直构造芯片采取高热导率的衬底(Si、Ge和Cu等衬底)取代蓝宝石衬底，极大的提高了芯片的散热性能，同时，垂直构造芯片的正负电极分别位于芯片高下两侧，电飘泊布更加均匀，避免了局部高温，进一步提升了芯片可靠性，但是目前垂直芯片本钱较高，量产能力较低。
表1中列出了三种芯片的性能比拟，通过以上剖析，可以创造，倒装芯片发光效率高、散热性好、可靠性高、量产能力强，更适用于小间距和微间距显示产品。
表1：芯片构造及性能比拟
3 Micro LED封装方案比拟
单独的LED发光芯片无法知足利用哀求，须要对其进行封装，合理的封装构造和工艺可以为发光芯片供应电输入、机器保护、有效的散热通道，并有利于实现光的高效和高品质输出。
LED芯片尺寸和显示屏间距的减小对封装提出了更高的哀求。目前，常用的Micro LED封装办法紧张有Chip型SMD封装、N合一IMD封装和COB封装，如图2所示。
图2：Micro LED常用封装构造示意图
（1）Chip型SMD封装
Chip型SMD封装是将单个LED像素固晶在BT板上，然后利用封装胶封装发光芯片，得到Chip型封装的单个像素；利用SMD技能将Chip型封装的单个像素贴片在PCB板上，即可得到LED显示模组。Chip型SMD封装为单像素封装，尺寸较小，焊点面积较小、焊点数目较多，随着LED芯片尺寸及显示屏像素间距的减小，单个SMD器件气密性较差，随意马虎受到水汽侵蚀，同时易磕碰，防护性较差，焊点间隔过近也随意马虎造成短路风险，因而不适用Micro LED 微间距显示。
（2）N合一IMD封装
N合一IMD封装将N个像素单元（多为2个或4个）固晶在BT板上，之后利用封装胶将N个像素单元整体封装，与单像素SMD分立封装比较具有较高的集成度，可有效改进单个SMD器件气密性和防护性较差等问题，随意马虎受到水汽侵蚀，同时易磕碰，防护性较差，同时继续了单个SMD器件的成熟工艺、技能难度和本钱较低，但N合一IMD封装集成度仍旧较低，对付0.6mm以下的微间距显示，N合一IMD封装工艺难度较大，且显示效果、可靠性及寿命较差。
（3）COB封装
COB封装方案是将多个像素的裸芯片直接固晶在PCB板上，之后整体封装胶层。与Chip型SMD封装和N合一IMD封装比较，COB封装将多个LED芯片整体封装，防护性和气密性极大提升，更适用于小尺寸芯片封装和微间距显示产品。同时，COB封装中不额外利用BT板，而是将LED芯片直接封装到PCB板上，导热通道短，散热性能更好，更适用于高像素密度显示。
表2比拟了上述三种封装办法的特点，COB封装具有最高的集成度，理论上可实现最小的像素间距、最高的可靠性和最长的显示寿命，是Micro LED的最佳封装方案。
表2：Micro LED显示屏产品的封装办法及性能比拟
4 总结
Micro LED因其具有高亮度、高比拟、广色域、可实现无缝拼接等优点，被认为是近乎完美的显示技能，在85英寸以上的大屏显示领域具有广阔的运用前景，国内外各大显示屏厂商均在Micro LED显示领域积极布局。芯片构造和封装办法直接决定了Micro LED显示产品的性能，目前行业内采取的芯片构造紧张有正装构造、倒装构造和垂直构造，比拟三种构造可知，倒装芯片发光效率高、散热性好、可靠性高、量产能力强，更适用Micro LED显示产品。Micro LED的常用封装办法有SMD单像素封装、IMD多合一封装和COB封装，三种封装办法中，COB封装集成度最高，可实现最小的像素间距、最高的可靠性和最长的显示寿命，是公认的Micro LED的最佳封装方案。
艾比森发布的全系列Micro LED产品基于艾比森自主知识产权HCCI技能：
1）采取倒装COB封装技能
2）集成艾比森核心HDR3.0算法
3）集成聪慧显示技能
在光学设计及画质处理等显示效果方面有专业团队持续进行研究，具备显示画面平滑流畅、色彩还原度高、画面柔和且同等性效果好的特点，成果运用于各产品系列，广泛运用于各大掌握中央，会议中央等场景。
