芯片加工工艺 --- 刻蚀小常识_等离子体_气体

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刻蚀及刻蚀速率

刻蚀工具刻蚀蚀工具依薄膜种类可分为: 多晶硅（poly）,氧化物（oxide）,金属（metal）薄膜的刻蚀。
半导体中一样平常金属导线材质为：钨线(W)、铝线(Al)、铜线(Cu)。
半导体中一样平常介电质材料为：氧化硅/氮化硅。
刻蚀种类湿法刻蚀剂：利用液相的酸液或溶剂，与薄膜发生化学反应天生溶于溶剂的产物，从而去除薄膜。
等离子体（Plasma）：等离子体是物质的第四状态。
带有正、负电荷及中性粒子之总和。
干法蚀刻：又称为等离子体刻蚀。
利用plasma将不要的薄膜去除。

等离子体刻蚀工艺的过程示意图

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Etch-rate(刻蚀速率)：单位韶光内可以刻蚀掉的材料的厚度或深度。
Under-etching(蚀刻不敷)：指被蚀刻材料，在被蚀过程中停滞造本钱该当被去除的薄膜部分残留的征象。
Over-etching(过蚀刻 )：蚀刻过多造成底层材料薄膜被毁坏。
Seasoning(陈化处理)：蚀刻腔体进行清净或改换零件后进行清洁时，为了要稳定刻蚀工艺，利用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
水分处理Wet bench dryer 的浸染：去除晶圆表面的水份。
目前Wet bench dry方法：Spin Dryer、 Marangoni dry、 IPA Vapor Dry。
Spin Dryer：利用离心力将晶圆表面的水份去除。
Maragoni Dryer：利用表面张力将晶圆表面的水份去除。
IPA Vapor Dryer：利用IPA(异丙醇)和水共溶事理将晶圆表面的水份去除。
AEI：After Etching Inspection 蚀刻后的检讨,包括：(1)正面颜色是否非常、有无刮伤(2) 有无缺角 (3)刻号是否精确。
刻蚀气体刻蚀多晶硅的紧张刻蚀气体：Cl2, HBr, HCl。
刻蚀Al金属蚀刻的紧张刻蚀气体:Cl2, BCl3。
刻蚀W金属蚀刻的紧张刻蚀气体: SF6。
刻蚀氧化物通孔或打仗的紧张刻蚀气体：C4F8, C5F8, C4F6。
延申材料 -- 什么是等离子体

等离子体被称作物质的第四态（即除了固体、液体、气体之外的第四种物质状态），并且它可以看作是被部分或者全部放电的气体。
在这些气体中包含着中性的分子或原子、阴阳离子或离子基团、电子等。
总体来说，等离子体保持着电中性（电荷守恒定律）。
这样的气体电离率比较低，但可以产生足够大的、寿命足够长的局部电荷。