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SK海力士研发“最强”闪存 （图片来自网络）
SK海力士在去年4月研发出72层3D Nand闪存之后，用了短短1年半就占领了96层半导体技能，这种半导体体积好比今的72层512Gbit 3D Nand闪存缩小了30%以上，可以搭载到智好手机移动零部件之中，每张面板可以生产的影象容量(bit)提升1.5倍，可同时处理的数据量更是提升一倍至业界最高水平的64KB，一个新的芯片产品可以取代2个原来的256Gbit 3D Nand闪存。SK海力士强调，“新芯片的读写能力分别好比今的72层产品提高了30%和25%”。
SK海力士之以是自称“环球首次”，是由于该公司不同于其他半导体公司采取的2D Nand浮栅型闪存单元技能，而是将3D Nand利用的电荷撷取闪存(CTF，Charge Trap Flash)构造与外围电路(PUC，Peri Under Cell)布局结合起来开拓出了新的技能。PUC技能将用来驱动晶胞的周边电路堆叠在储存数据的晶胞阵列下方，相称于将公寓楼(Nand闪存)所须要的停车场从公寓阁下改建到了地下空间，以此办法提高空间利用效率。
（图片来自网络侵删）
SK海力士公司常务金正泰表示：“给予CTF技能的96层4D Nand闪存拥有业界最顶级的性能和本钱上风”，“我们还正利用相同技能研发新一代128层4D Nand闪存”。
此外，SK海力士操持在年内推出搭载“4D Nand”内存，这款产品拥有1TB容量固态硬盘（SSD）将会成为半导体存储信息中新一代大容量储存设备。
