只是，现在的芯片封装技能是越来越厉害了，不仅可以把芯片做得越来越小，而且还可以把各种不同的功能都封装在一起。
比如，Diodes就推出了一个三极管阵列芯片，型号为HBDM60V600X，内部集成了两个三极管，一个是NPN型，另一个是PNP型，采取的封装是SOT363，只有6个引脚。
01 HBDM60V600X芯片
虽然内部是集成了2个三极管，但在实际项目开拓中，工程师仍可以把它当做两个独立的三极管来利用，差异就在于SOT363封装占用的PCB板空间是要小于两个SOT23封装的，节省了空间，可以使PCB板做得更小。
HBDM60V600X芯片
里面的PNP型三极管，它最大承受的电压VCE为60V，电流IC为600mA；另一个NPN型三极管，它最大承受的电压VCE为65V，电流IC为500mA。
可以看到，这两个三极管的参数基本上是相同的。
SOT363封装
芯片的6个引脚，分别对应到2个三极管的基极、集电极和发射极。这些都是比较常规的内容，工程师一看就清楚，芯片哥就不展开讲了。
02 直流电机驱动电路
驱动一个直流电机，首选是利用MOS管搭建的H桥电路。只是，如果在开拓项目的时候，电机是一个非常小的功率，电压只有5V，电流也只有200mA，这个时候除了利用MOS管搭建的H桥电路，和用其他专用的H桥电路，也可以利用三极管阵列芯片。
就比如HBDM60V600X芯片，它恰好是一个NPN型三极管和一个PNP型三极管，可以构成一个半臂的H桥驱动电路。
三极管H桥电机驱动电路
用4个三极管就可以构成一个全臂的H桥驱动电路了。把上面的4个三极管，可以用2个HBDM60V600X芯片去代替，也便是电路中的Q1和Q5三极管用HBDM60V600X芯片代替，Q2和Q6三极管用HBDM60V600X芯片代替。
工程师可以把Q4三极管的基极掌握端，定义为电机的正转；Q3三极管的基极掌握端，定义为电机的反转。
显然，当Q4三极管接通一个高电平旗子暗记，Q1和Q6三极管同时导通，电机就会迁徙改变；当Q3三极管接通一个高电平旗子暗记，Q2和Q5三极管会同时导通，电机也会迁徙改变。
只是由于电流流过电机的方向不同，以是电机才会涌现两个方向的迁徙改变。
至于4个二极管为什么会涌如今电路中？就相称于继电器的线圈两端，为什么会并联一个二极管的缘故原由是类似的，都是起到保护三极管的浸染，防止涌现高电压超过了三极管的耐压值。
要知道，电机的实质实在也是一个线圈。
03 芯片的利害势
HBDM60V600X芯片的上风，便是可以直接代替电路中两个独立的NPN三极管和PNP三极管，可以节省PCB板的尺寸空间。
劣势嘛？便是它能承受的功率是非常小的，只有200mW；如果用来驱动电机，电压是5V，那它的电流是不能超过40mA的，是一个非常小的值。
但作为电路中的其他小旗子暗记处理，HBDM60V600X芯片是完备够用的。
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