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三星的2nm工艺路线涵盖了多个技能节点，首推SF2，随后将依次推出SF2P、SF2X、SF2A及SF2Z等优化版本，每一步都代表了技能的深化和效能的提升。
特殊强调的是，三星的第 一代2nm技能SF2估量将于明年完成所有预备事情，为其商业化铺平道路。更前辈的SF2Z节点将于2027年投入市场利用，该技能整合了创新的后端供电网络(BSPDN)，旨在极大提升能源利用效率。
三星在2nm技能上的打破不仅表示在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采取前辈的外延技能和集成方案，相较于传统的FinFET构造，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降落了26%的性能颠簸和大约50%的泄电流。
此外，三星在今年早些时候与Arm达成了计策协作，携手优化基于最前沿GAA晶体管技能的下一代Arm Cortex-X和Cortex-A CPU内核，进一步巩固了三星在半导体技能竞赛中的领先地位。
