芯片巨擘美光：成功绕过了EUV光刻技能_光刻_栅极

一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采取的是DUV（深紫外光刻）。
这意味着相较于三星、SK海力士，美光须要更繁芜的设计方案。
毕竟，DRAM的前辈性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目前通过不断缩小电路面积来进行竞争。

同时，美光的产品终极在本钱上或许也会更具比较上风。
据悉，美光已经在LPDDR5X移动内存上率先运用1β工艺，还利用了第二代HKMG(高K金属栅极)工艺，最 高速率8.5Gbps(等效于8500MHz)。