ESD与EOS失落效案例分享_样品_案例

失落效图示

试验复现

结论

不良发生位置集中于CF表偏贴合端子部的左边，间隔离子棒约50cm。
因间隔过大，离子棒对此位置的除静电能力有弱化。

#案例2

失落效图示

试验复现

结论

经由静电耐圧试验创造，样品1在两种毁坏类型中，情形分别为：

1.机器模型：利用2-3kV ESD痕迹发生；

2.人体模型：利用3-4kV ESD痕迹发生；

样品2在两种毁坏类型中，情形分别为：

1.机器模型：利用12-14kV ESD痕迹发生；

2.人体模型：利用24-28kV ESD痕迹发生。

EOS案例分享

过电压，过电流，过功率，过电烧毁

1.失落效表现

EOS的碳化面积较大，一样平常过功率烧毁会涌现原始损伤点且由这点有向四周辐射的裂纹，且多发于器件引脚位置。

2.范例案例

#案例1 MCU芯片旗子暗记短路剖析

失落效图示

解释: 空洞非常处有因局部受热造成的表面树脂碳化征象，周边树脂涌现裂纹。

试验复现

验证方法:利用正常样品在两个引脚上分别接入12V电源正负极进行复实际验。

结论

接上12.0V电源瞬间，两电极之间有被烧坏的声音，电流瞬间升高，电压低落。
两引脚之间阻抗测试显示为OL，解释二者之间经由反接12V电压被大电流瞬间击穿断开。

#案例2 TVS管失落效剖析

失落效图示

解释：样品开封创造样品晶圆位置均创造有烧伤痕迹，击穿位置树脂高温碳化，为过流过压导致。

试验复现

TVS管击穿FA剖析图

击穿验证之后进行开封检测，创造复现样品晶圆位置均创造有烧伤痕迹，与非常品失落效发生类似。

结论

晶圆表面创造有过流过压击穿的痕迹，即树脂高温碳化；

DC直流电源加压到18V，TVS管被击穿短路，复现品晶圆位置失落效与非常品类似。

9V样品取下滤波电容，使其输出不稳定，TVS被击穿，短路失落效。

据此判断，TVS管为过压导致失落效，样品输出不稳定时有击穿TVS管的可能。

技能总结

随着电子行业对产品的可靠性哀求越来越高，失落效剖析的主要性日益凸显。
进行检测剖析的一个目的是预防失落效，那关于减少ESD&EOS造成的损伤，我们可以从防止电荷产生、防止电荷积累、减慢放电这三个方面进行入手。

由于ESD&EOS的产生与生产工艺过程中的规范性有极大干系性。
在实际运用中，建议可以用以下方法规避因静电导致的损伤：

1.连接并接地所有的导体；

2.掌握非导体的静电；

3.运输和存储时保护性包装；

4.利用高规格的耐压材料。

新阳检测中央有话说：

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