中芯集成-U申请电流软失落效分析专利可大年夜大年夜节省封装成本_衬底_塑封

专利择要显示，本发明供应的一种功率器件的漏源极泄电流的软失落效剖析方法，包括供应裸芯片，裸芯片包括正面和背面，包括衬底，位于衬底一侧的MOS管、第一金属层和钝化层，位于衬底另一侧的第二金属层，第二金属层包括连接MOS管漏极的漏极焊盘，第一金属层包括源极焊盘及栅极焊盘，钝化层暴露出源极焊盘和栅极焊盘；从背面一侧去除漏极焊盘，暴露出衬底靠近背面的表面，在正面形成正面焊盘和塑封层，塑封层覆盖正面和正面焊盘，正面焊盘外侧围设有塑封层；从背面对裸芯片进行失落效定位，在芯片背面剖析过程中，通过在正面上形成正面焊盘和塑封层替代了现有技能中的封装，大大节省了封装本钱、提高了裸芯片的失落效剖析时效性。

本文源自金融界