一样平常来讲，FLASH编程紧张包括擦除、代码编程、Option字修正操作，关于Option编程下面不做先容。STM32L0芯片的擦除除了支持全片擦除外，再便是支持页擦除，每页的大小为128Bytes,即32个字。编程可以按字或按半页【64Bytes】编程。单页擦除、单字编程以及半页编程的韶光都是一样的，大概3.2ms旁边，这点在芯片数据手册上也明确出来了。
这里提醒两点。第一点，在做擦除或编程时，要把稳地址对齐的问题，页擦除时地址要128字节对齐，字编程把稳4字节对齐，半页编程时把稳64字节对齐。还有一点便是做半页编程时，半页编程的实行代码要放到RAM里进行，这点手册也强调了。
下面演示字编程、页编程、页擦除的操作。这里我先以字编程模式写5个字，然后以半页编程模式对5个半页进行FLASH编程，并记录二者所花的韶光，看看字编程韶光跟半页编程的是否同等。其余，在完成5个半页编程之后，又进行了页擦除操作，擦除刚才已编程的5个半页中的1页，即末了应只剩下3个半页的内容【注：对付STM32L0系列芯片，内部FLASH被擦除后内容为全0】。
下面代码截图是基于STM32Cube库来组织的，紧张涉及到字编程、半页编程、页擦除三个操作，对应着绿色下划线的3个库函数。
个中，半页编程的实行代码需配置到RAM里去运行。其余，Period1和Period2分别来存放写5个字和5个半页的编程韶光，并放在指定的FLASH位置。编译运行后我们可以看到如下结果：
上面截图是经由运行后芯片内部的部分FLASH空间的内容。5个赤色方框围住的数据乃5个字编程后的结果，蓝色方框内的数据乃5次半页编程后的结果，但终极只看到3个半页的编程内容，那是由于后面两个半页的内容经页擦除操作后而消逝了。
用来统计编程韶光的定时器的计数频率为1MHz,显然Period1和Period2基本是相等的，将它们再除以5后所得编程韶光都是3.3ms的样子。显而易见，进行批量代码编程时采取半页编程更高效。
前面说了做半页编程时其实行代码需放到RAM运行，该代码在STM32cube库的这个文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。实现该操为难刁难于不同的IDE在处理上稍有差异。这里基于ARM MDK进行大略配置，划分点RAM出来给它用。
关于STM32L0系列FLASH编程的演示就先容到这里，愿能帮到有需之人以节省些韶光和精力。
