LDO稳压芯片定义？
LDO即low dropout regulator，是一种低压差、线性、稳压器。
“低压差”：输入输出压降比较低，例如输入3.3V，输出可以达到3.2V。
“线性”：LDO内部的MOS监工作在线性电阻区间，这句话很主要，理解透也很主要。
“稳压器”解释了LDO的用场是用来给电源稳压。
我们常用的7805、1117系列等都是常用的LDO稳压芯片，实在7805这种芯片dropout电压大的不要不要的，当然1117系列dropout电压也小不到哪去，但因其本钱低、性能够用，还是很受大家欢迎的。目前低压差做的好的能做到小于200mV，非常适宜低电压产品设计里。这里要强调的是LDO稳压芯片有别于DC-DC稳压芯片，DC-DC稳压芯片侧重于将内部直流输入互换化处理，事情办法和LDO稳压芯片完备不同，类似开关电源性子。
LDO输出为什么稳定？
我们都知道LDO稳压芯片搭好电路后输出便是我们想要的值且稳定不变，那么大家想过没，为什么输出电压稳定？这里还是通过一个范例得LDO事理框图来剖析。
LDO范例内部事理框图
上图中看出了LDO芯片，内部为一个P-MOS管+一个运放+2个电阻+1个参考电压源。
因此LDO核心架构：P-MOS+运放+参考电压源，通过芯片内部已经设置好的电阻来达到调节P-MOS的输出，而得到该芯片的输出电压。输出电压经由反馈电阻分压到FB引脚，当输出电压高于设定值时，内部回路会改变驱动电压，使得管子的导通压降增大，从而降落输出电压。当输出电压低于设定值时，内部回路会改变驱动电压，使得管子导通压降减小，从而提高输出电压，形成一个完美的闭环负反馈回路，确保输出电压在带负载事情时相对稳定在某一个值或范围内。
LDO稳压芯片主要性能参数
PSRR(电源电压抑制比)
PSRR是许多LDO稳压芯片数据手册中的公共技能哀求，有些手册里可能未列出该参数。它规定了某个频率的AC元件从输入到LDO输出的衰减程度，普通的讲，是指LDO输出对输入纹波噪声的抑制浸染，这也是很多场合在DC/DC后级另加一颗LDO的缘故原由（特殊是后面接仿照传感器或者ADC/DAC时）。高PSRR的LDO对输出纹波的抑制效果还是很明显的。下图是某器件厂家给的PSRR特色图。如何判断LDO的PSRR参数是否足够呢，举个大略的例子，假设LDO前面的DC/DC的开关频率是100khz，通过该器件得PSRR特色图得知，100khz处的PSRR是50dB，假设前端DC/DC 纹波大小100mv，那LDO之后的纹波=100mv/10(50/20)=0.3mv，可见高PSRR特性的LDO稳压芯片是多么主要。
某LDO芯片PSRR特色图
Noise（噪声性能）
不同于PSRR，噪声是指LDO自身产生的噪声旗子暗记，低噪声的LDO稳压芯片可以很好的降落LDO产生的额外噪声，输出的电压更纯净，噪声一样平常打算出的值是有效值(rms)，也可以用peak to peak 来剖析。
某LDO芯片噪声特色图
Low Dropout Voltage（低压降）
上面开始也提到了这个参数，设计电路比如须要6v转5v时，须要保持Low Dropout Voltage参数<1 v。性能突出的LDO一样平常压降都很低，Vdropout可以做到<200mV。
Transient response(动态性能)
一些运用处所，负载变革剧烈，那么这时候这个参数就非常主要了，除了通过增加输出电容来确保动态性能外，也只管即便选用动态性能好的LDO芯片。
某LDO芯片动态性能事情图
Thermal（温度性能）
大家都知道LDO事情效率相对DC-DC稳压芯片而言很低，那怎么去校验一个LDO是否得当呢？首先打算功耗Pd=（Vin-Vout）Iout ，其次打算温升，一样平常芯片手册里会解释温度性能与温升的打算公式，总之一句话，不能由于LDO芯片带负载事情时在指定的事情温度范围内烧坏了。这里要强调的是不同的封装，其LDO芯片的温度性能是不一样的。
IQ（即静态电流）
一样平常电池供电的场合对静态电流会有比较高的哀求，一样平常LDO芯片的静态电流的大小与芯片的其他性能成反关系，如低噪声，高电源电压抑制比，动态性能好的LDO静态电流都偏大一些。低IQ的LDO做的好的话，<100nA。
若何？一个看似大略的LDO稳压芯片没想到会有这么多性能指标要考虑吧，在好的设计博识的设计里，每一个元器件的选用，所处位置，值为多少，什么型号，那都是主要而必要的，都有其科学性，不可随意更换。
