C1电容的浸染
自举勾引，连接在SW（开枢纽关头点，我们也可称为动点）和BST（BST是Bootstrap的简写，意为自举）引脚之间的电容器须要在高压侧开关驱动器上形成浮动电源，在须要开通高压侧开关管时给开关管供给驱动能量或驱动功率。
事理认识
（1）半桥（Half-Bridge）构造
如下图赤色虚线框中，Q1我们称为上管，对应Q2称为下管，在电源拓扑中极为常见，半桥可以说是常见电源的拓扑根本，很随意马虎找到它的影子，从根本的Buck、Boost到隔离型拓扑如半桥、全桥等险些都可以，由于我们知道电源中的开关感性负载或变压器的励磁和去磁都须要合营的路径来完成。
（2）Buck电路中的同步整流
High Side：高边侧，简称HS，是半桥构造中与电源输入正连接的开关管干系的地方，如果是特指开关管则指上管
Low Side：低边侧，简称LS，是半桥构造中与电源参考地连接的开关管的地方，如果是特指开关管则指下管
如下是带有同步整流（SR）的Buck电路，这里同步整流是指将原来的续流二极管用有源器件替代，以减少通态损耗，这里示意图中我们用增强型MOSFET替代续流二极管，图中是Q2。
（3）半桥驱动的问题
在一个供电系统中（这里指只有一个参考地的情形），由于半桥中两只管子连接构造的关系，上管的参考地一定是浮动的，只有下管具有供电系统的参考地，也便是稳定的。那么引出问题便是如何用具有一个参考地的电源驱动浮动地的上管，由于没有形成回路是无法驱动开关管的。
如下图，上管Q1的源极（S）的电位在输入正电压VB和和参考0（忽略管压降）之间变革，上管的源极也便是半桥的开枢纽关头点，当然我们要明白Q1和Q2使互补开通的，不能同时开通，同时开通就会让桥臂短路产生大电流而烧坏开关管。
常日情形下，VDD是给掌握芯片供电的电源，它的来源是输入电源VB通过降压得到的一个稳定值，以是在Q2关断，须要开通Q1时，如果要用以“参考地0”的电源去开通上管Q1，这是不可行的（VDD小于VB），由于当下管Q2关断后，没有流利的回路，Q1门极上是没有办法被充电的。
（4）自举悬浮供电电路
自举勾引，连接在SW（开关管节点）和BST引脚之间的电容器须要在高压侧开关驱动器上形成浮动电源，在须要开通高边侧开关管时给开关管供给驱动能量或驱动功率。
①自举电路构成：二极管D1和电容C1
②自举事情事理—充电
Q1和Q2依旧是互补事情，当下管Q2闭合时，VDD通过二极管D1给C1充电，通过Q2回到参考地0，形成完全的回路，充电路径如下橙色虚线指示的部分。
③自举事情事理—悬浮电容做为电源给上管驱动供电
Q2关断后，C1已经被充电，电荷存储在C1中，形成独立的供电电源，在须要开通Q1时，C1给驱动电路供电，打开Q1，C1供电回路如下蓝色的曲线。
常用半桥驱动芯片或者Buck电源管理芯片驱动高边侧悬浮开关管。
（1）半桥驱动芯片
实际外围电路构成，CBOOT相称于自举储能电容，Rboot常日取几欧姆，可以避免因走线问题引起的充电振荡。
（2）带有同步整流功能的Buck电源管理芯片的自举悬浮驱动
实际电路，多数只要外加一个储能或自举电容即可，二极管被集成在芯片中。
关于C1储能电容的容值，在小功率DC-DC中，一样平常芯片厂家都会推举一个电容值，利用即可（打算是根据驱动功率或MOSFET驱动电容选择打算），如下：
但是，有些情形这种自举会失落效，如，自举电容险些无法被充电，也便是下管占空比太小（开通韶光过短），无法知足自举充电哀求，或驱动花费大于充电的电荷量，这个我们也会碰到，这时候就须要在驱动上想办法了，如下是通过变压器变换两组电源分别给上管和下管驱动供电。
如下图，自举已经无法知足高边侧上管供电需求时，只能采取另一组不同参考地的电源去供电的征象。
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