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砷化镓什么一个东西？？？
砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓上风有哪些？？？
砷化镓是一种主要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格构造，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到主要运用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优胜的性能，但由于它在高温下分解，故要生产空想化学配比的高纯的单晶材料，技能上哀求比较高。
中国节制“半导体贵族”砷化镓单晶生产技能情形？中国努力中
作为第二代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。2001年7月31日，中国科学家宣告已节制一种生产这种材料的新技能，使中国成为继日本、德国之后节制这一技能的又一国家。 北京有色金属研究总院宣告，海内成功拉制出了第一根直径4英寸的VCZ半绝缘砷化镓单晶。
据专家先容，砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛运用于遥控、手机、DVD打算机外设、照明等诸多光电子领域。其余，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。它还被广泛利用于军事领域，是激光制导导弹的主要材料，曾在海湾战役中大显神威，赢得“砷化镓打败钢铁”的隽誉。 据悉，砷化镓单晶片的价格大约相称于同尺寸硅单晶片的20至30倍。只管价格不菲，目前国际上砷化镓半导体的年发卖额仍在10亿美元以上。在“十五”操持中，我国将实现该产品的家当化，以霸占国际市场。[1]
砷化镓成长工艺难不难？？不用说肯定难
主流的工业化砷化镓成长工艺包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有利害，除了实际工艺制备的方法，其余一种便是通过打算机来实现砷化镓的晶体成长数值仿照，如利用FEMAG/VB能仿照VB、VGF法成长工艺，利用FEMAG/Cz能仿照CZ法成长工艺；海内北京有色金属研究总院在晶体成长过程中的微毛病[2] 、以及熔体和气流流动对晶体成长过程的影响作出了有效的打算仿照[3] ，对晶体成长的制备起到了技能辅导的浸染。
砷化镓未来紧张大规模发展方向？？5G手机还有军工都有他的份
砷化镓半导体具备高事情频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性在微波通讯领域大规模运用。一方面，随着智好手机进入4G时期，以至于后面的5G及物联网的崛起，多模多频的砷化镓微波功率器件需求量较3G时期将大幅提升。根据我们估算，2014年度环球手机砷化镓功率元件需求量靠近120亿颗，海内手机市场砷化镓元件需求量超过35亿颗。4G及未来的5G通讯已成为砷化镓微波半导体主要的发展驱动力。另一方面，无线通讯的拉动下催生砷化镓半导体由原来的国外IDM群雄盘据发展到现在的代工经营模式，专业的砷化镓半导体晶圆制造涌现。
之前便是由于你--砷化镓惹出了那档子事（这里面水很深，信者有，不信则无）
说的是：陆收买特工窃稳懋机密 7工程师涉案，（中心社邱俊钦桃园6日电）杨姓等7名本国籍人士涉嫌盗取稳懋半导体公司商业机密，并准备不才周离境前往大陆。涉案人依约定，可收取新台币200万签约金与5倍年薪的钜额酬劳。
杨姓等7名工程师涉嫌盗取上市公司「稳懋半导体株式会社」业务秘密，经由桃园地检署企业犯罪专组主任审查官张书华、审查官陈品洁指挥侦办下，破获整起重大商业特工案。
检方查出，44岁的本国籍杨姓男子任职大陆地区半导体科技公司工程师，透过猎人头公司，密集利用不同管道并开出优渥条件，打仗稳懋公司离职及现职工程师等多人。
个中杨姓等3人准备先行不才周一离境，估量交付商业机密给大陆接头人士，检方本日提前收网，兵分多路在苗栗、新竹等地一举逮捕涉案人，并依违反业务秘密法移送检方侦办。
检方在调查中创造，杨姓男子开出诱人条件吸引涉案人，包括200万元签约金， 每人5倍的年薪，哀求涉案人盗取公司机密。
检方指出，稳懋公司为环球六寸砷化镓及氮化镓半导体晶圆代工龙头，生产量环球排名第一，产品广泛利用在手机、无线电、军用高功率雷达通讯设备，而杨姓男子还计画带领其他多位涉案人前往大陆的科技公司任职，明显触犯业务秘密所有人之业务秘密泄露交付罪嫌。
这一段，实在我有些不太认可台湾方面不雅观点，我以为这里面有政治身分，说不定是故意而为之，以是我说水很深，大家就当看看，这也不是
国外非常看重这个领域未来发展！
美国POET Technologies 预言，砷化镓(Gallium arsenide，GaAs)很快就会取代矽，成为高性能晶片的材料选择;而曾任职于贝尔实验室(Bell Labs)的该公司共同创办人暨首席科学家Geoff Taylor表示，上述论点自1980年代就已经被提出。
Taylor指出，相较于矽，砷化镓能在提升电晶体性能的同时，整合光学电路的功能;这些特质能带来更高的性能以及创新的晶片架构，并因此让摩尔定律(Moore\"大众s Law)寿命无限延长。“数位逻辑矽晶片在4GHz就会碰着瓶颈，但我们今日已经能制造小型的砷化镓类比电路，切换频率达到100GHz，而且在不远的将来还能进一步达到400GHz;”他在接管EETimes美国版编辑访问时表示：“只要加上POET打造的光学发射器以及探测器做为晶片上光学互连。”
在同一颗晶片上结合标准逻辑单元以及光学元件，是设计方法上的一大改变，POET是取得了EDA供应商Synopsys的帮忙，才成功设计出光电稠浊元件;举例来说，光学回路能实现超低抖动振荡器，且频宽高于矽材料。POET也打算以多波长办法，打造超精密的类比数位转换器，透过将电压编码为波长，用更低功耗以及更少元件产出更高解析度以及位元率。
POET的砷化铟镓环形振荡器号称比矽振荡器更精确且频率更高
其他砷化镓这类三五族半导体(III-V)材料超越矽的上风，包括较低的操作电压──藉由应变量子阱(strained quantum wells)达到最低0.3V，电子迁移率12,000 cm2/ (V·s)──POET表示，如此能将三五族晶片功耗降落十倍以上。不过目前砷化镓晶圆片比矽晶元的本钱赶过许多;对此Taylor表示，新一代矽晶片采取的FD-SOI制程，本钱实在与砷化镓差不多。
大多数三五族元素，包括铟(In)、镓(Ga)、砷(As)以及磷 (phosphorous，P)，都有比矽更高的电子迁移率，但在制造上也有特定的问题使得它们无法取代矽材料;换句话说，缺少数位电路的强化元件，以及缺少互补设计的p通道电晶体。在打造能在上面同时制作出n型与p型电晶体的基板之前，POET已经创造了一个方法，能在砷化铟镓以及砷化镓晶圆片上长出连续层(successive layer)，每一层都有一点铟。
p型电晶体终极可在应变砷化铟镓量子阱中，以大约1900 cm2/(V·s)的电洞迁移率被制作出来，而n型电晶体的迁移率更高、达8500 cm2/ (V·s);至于矽的迁移率仅1200 cm2/ (V·s)。POET期望能将n型电晶体的迁移率提升至12,000，以实现超高数位逻辑率的互补HFET。
POET技能开拓进程
在任职于贝尔实验室时所开拓的三五族晶片技能专利过期之前数年，Taylor就转往康乃狄克大学(University of Connecticut)事情，后来他也在那里重新开始进行贝尔实验室的研发题目，不过将内容由单个n通道的电/光稠浊技能，转为双通道电/光稠浊技能的开拓，期望能在未来藉由互补性的电/光电路，让摩尔定律寿命无限制延长。
Taylor将该技能命名为平面光电技能(Planar Opto Electronic Technology，POET)，康乃狄克大学已经取得专利，是POET的独家授权者。POET公司技能长Daniel DeSimone表示：“我们的平面电子技能PET，是超越过去以类NMOS电路架构为根本的砷化镓技能之一大进展，由于我们拥有可整合的平面式光学与电子元件能互补，因此能用 CMOS制程。”
POET的电晶体通道是砷化铟镓材料，如果将镓去掉(也便是纯块状砷化铟)，理论上能达到 40,000 cm2/ (V·s)的迁移率。不过POET表示，那是无法达成的、只能尽可能靠近;到目前为止，该公司已经将电晶体通道的铟身分提升至53%，并有信心可进一步提升至80%。
POET采取的砷化镓基板，能让光学与电子元件排列在一起，并让电晶体与光学互连在同一颗晶片上共存
“我们因此一种愚弄大自然的独特变性方法，藉由改变晶格常数(lattice constant)来达成上述结果;”Tylor表示：“首先，我们以砷化镓为基底，在其上堆叠一层又一层1微米(micron)厚的砷化铟镓应变层，直到产生与磷化铟(InP)晶格常数相对应的天然量子阱。以上的身分掌握室因此分子束磊晶(Molecular-beam epitaxy，MBE)技能来进行。”
POET已经与一家第三方晶圆代工业者签署互助协议，估量在今年稍晚以0.1微米制程实际验证其技能，并在2015年迈向40奈米制程节点;这听起来彷佛掉队已经来到20奈米节点、乃至14奈米节点的矽技能许多，不过POET强调这种比较是不公正的，其40奈米制程元件的性能该当要与14奈米或10奈米矽晶片来比较。
DeSimone表示：“我们的40奈米砷化镓元件在速率上领先矽晶片三个制程世代，在功耗上则领先四个世代，而整合密度是差不多的;因此40奈米制程的砷化镓元件，该当要在速率上与14奈米矽晶片比较，在功耗上则是与10奈米矽晶片比较。”
中国目前开始发力5G市场，未来就看你行弗成了？？
砷化镓半导体：射频通讯的核心，百亿美元大市场
1、无线通讯推动砷化镓半导体市场快速发展
砷化镓紧张用于微波功率器件，即事情在微波波段（频率300-300000兆赫之间）的半导体器件。由于Si在物理特性上的先天限定，仅能运用在1GHz以下的频率。然而近年来由于无线高频通讯产品迅速发展，使得具备高事情频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性的砷化镓脱颖而出，在微波通讯领域大规模运用。
手机通讯领域
在手机无线网络中，系统中的无线射频模组必定含有两个关键的砷化镓半导体零组件：以HBT设计的射频功率放大器（RF PA）和以pHEMT设计的射频开关器。
传统2G手机中，一样平常须要2个功率放大器（PA）；其余2G手机只有一个频段，噪声哀求低，利用1个射频开关器。到了3G时期，一部手机均匀利用4颗PA，3.5G均匀利用6颗PA。利用2个射频开关器。
2014年，智好手机正式进入4G时期，均匀利用7颗PA，4个射频开关器。4G的射频通信须要用到5模13频，多模多频的砷化镓前端放大器模块及在“频”和“模”之间切换的射频开关器不可或缺。目前，单部4G智好手机仅达到标准的通信效果，就至少须要5颗以上的砷化镓功率放大器，此外智好手机中的卫星定位功能也须要用到1颗功率放大器，4G智好手机支持的无线局域网通信（WLAN）也须要至少1颗功率放大器。
下一代5G技能，其传输速率将是现行4G LTE的100倍，目前只有砷化镓功率放大器可以实现如此快速的资料传输。4G及未来的5G通讯已成为砷化镓微波芯片主要的发展动能之一。
在PA领域，一贯存在硅基CMOS PA与砷化镓PA之争。2013年上半年高通推出CMOS功率放大器办理方案开始打入低阶智好手机供应链，但是由于硅材料物理性能限定无法运用于高频领域。因此虽然硅材料较砷化镓有本钱上风，但是高阶市场并不会受到影响，砷化镓材料在功率放大器市场仍由85%的市占率。
2014年环球智好手机销量达12.28亿只，中国智好手机出货量达4.02亿支。根据我们粗略估算，2014年度环球手机砷化镓功率元件需求量靠近120亿颗，海内手机市场砷化镓元件需求量超过35亿颗。未来随着4G手机渗透率的不断提升，手机用砷化镓元件还将不断增长。
图1：砷化镓PA市场规模估算 数据来源：IDC，TrendForce
l其它领域
由于砷化镓高频传输的特性，除了在手机运用中飞速发展外，平板电脑、条记本电脑中搭载的WiFi模组、固定网络无线传输，以及光纤通讯、卫星通讯、点对点微波通讯、有线电视、汽车导航系统、汽车防撞系统等，也分别采取1~4颗数量不等的功率放大器，这都是推动砷化镓发展的强大动力。
根据Strategy Analytics调查数据，2013年环球砷化镓微波功率半导体市场总产值约为64.7亿美元，较2012年59.3亿美元发展11%。
图2：砷化镓微波功率半导体各运用领域占比 数据来源：Triquint图3：砷化镓微波功率半导体市场规模 数据来源：strategy analytics
2、国外IDM 厂商抢占砷化镓半导体市场先机
与硅材料大规模集成电路制造不同，砷化镓微波功率半导体多为分立器件，制造工艺相对大略。另一方面，由于材料性能差异大，晶圆制造的设备及工艺与硅有极大的不同，因此我们一样平常所熟习的半导体晶圆制造厂商专注于硅晶圆制造，并不涉及砷化镓晶圆制造领域。砷化镓半导体拥有自己独立的全套家当链。
砷化镓半导体的制造流程与硅相似，从上游材料、IC设计、晶圆代工到封装测试，完成砷化镓半导系统编制造的全部家当链。
图4：砷化镓（GaAs）半导体家当链
图5 ：2013年砷化镓半导系统编制造商市场份额 数据来源：strategyanalytics
图6 ：环球砷化镓半导体家当链紧张厂商
砷化镓半导体家当参与者多为国外IDM厂商。2013年砷化镓市场总产值64.7亿美元中，占比前5的厂商中除了稳懋外，均为集IC设计、晶圆代工、封装测试为一体的IDM厂商。
目前环球砷化镓半导体市场份额最大的Skyworks，占比24%，环球前10大手机厂家都是它的客户。占比13.6%和12.3%的TriQuint与RFMD现已合并成为Qorvo，集晶圆代工与IDM模式为一体。
砷化镓材料现在正处于发展阶段，目前环球砷化镓微波功率半导体领域参与者数量远远小于硅，市场分布较为均衡。IDM厂商毛利率达40%，RFMD（Qorvo）为原诺基亚PA供货商，毛利率低于同行业均匀水平。
图7：2014年砷化镓半导体紧张厂商营收
图8 ：2014年砷化镓半导体紧张厂商毛利率
3、砷化镓半导体代工经营模式涌现
无线通讯的遍及催生砷化镓代工经营模式。在无线通讯的拉动下砷化镓微波功率半导体需求量快速增长，考虑到半导系统编制造须要巨额的研发和设备投入，产品价格低落快等成分。而砷化镓专业代工拥有较短的设计周期，本钱较低且能够快速导入市场，未来在砷化镓整体家当拥有竞争力，砷化镓半导体垂直分工的经营模式涌现。
只管目前砷化镓半导体紧张由美国三家IDM厂商（Skyworks，TriQuint与RFMD合并而成的Qorvo，Avago）霸占，但近年来，晶圆代工在全体市场中的占比不断提高。个中台湾的稳懋是砷化镓晶圆代工领域龙头，紧张客户为Avago、Murata、Skyworks、RDA、Anadgics等。
图9：2013年砷化镓外延片市场份额 数据来源：strategyanalytics
图10：2013年砷化镓晶圆代工市场份额 数据来源：strategyanalytics
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