三星否认自家HBM内存芯片未经由进程英伟达测试“正改进质量”_相干_芯片

不过据韩媒 Business Korea 宣布，三星电子发布声明否认了干系宣布，该公司声称他们正在与多家环球互助伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续互助，以确保产品质量和可靠性”。

三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。
在目前已量产的 HBM3E 上，三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采取 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍利用 1a nm 颗粒，在能耗方面处于劣势。
加上本次涌现的干系负面舆论，这导致一些剖析师疑惑三星“是否有能力从 SK 海力士处迅速夺回市场份额”。