意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开拓难题。这两款产品采取紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料本钱，简化了电路布局。
这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN HEMT晶体管，这种配置适宜开拓采取有源箝位反激式转换器、有源箝位正激式转换器或谐振式转换器拓扑的开关式电源、适配器和充电器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分别与MasterGaN1和MasterGaN3引脚兼容。与早期的产品比较，新产品重新优化了导通韶光，支持更高的开关频率，在低负载的情形取得更高的能效，能效提高在谐振拓扑中尤为明显。
输入引脚接管3.3V至15V的旗子暗记电压，输入滞后和下拉电阻有助于输入直连掌握器，例如，微掌握器、DSP旗子暗记处理器或霍尔效应传感器。专用关断引脚有助于设计者节省系统功率，两个GaN HEMT晶体管的时序匹配精准，集成一个互锁保护电路，防止桥臂上的开关管交叉导通。
MasterGaN1L HEMT的导通电阻RDS(on)为150mΩ，额定电流为10A，适宜最高功率500W的运用。空载功耗只有20mW，支持高转换效率，使设计者能够知足行业严格的待机功耗和均匀能效目标。MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的运用，导通电阻RDS(on)为225mΩ，额定电流为6.5A。
EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板现已上市，有助于开拓者评估每款产品的功能。这两块板子集成一个针对LLC运用优化的GaN半桥功率模组，方便开拓者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速创建新的拓扑构造，而无需利用完全的PCB设计。
这两款器件均已量产，采取9mm x 9mm x 1mm GQFN封装。
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