星海电子取得快恢复二极管芯片及其制作方法专利降低正向工作电压_芯片_所述

专利择要显示，本发明涉及芯片制造领域，详细公开了一种快规复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括自下而上设置的N区、基区和P区,个中，所述N区的厚度为70um，所述基区的厚度为80um，所述P区的厚度为85um，本发明还供应一种快规复二极管芯片制作方法，用于制作所述快规复二极管芯片，本发明供应的快规复二极管芯片可以降落正向事情电压，从而降落正向损耗，使得事情温度不会上升太快，本发明通过在快规复二极管芯片的劈裂区设置保护层，可以提高后续封装的良率。

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