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根据台积电的说法,N2 用上了全新的 “Nanosheet(纳米片晶)”技能,而非以往的“FinFET(鳍式电晶体)”技能;在该工艺下出身的芯片,在相同功率下的速率可以提高 10%~15%,而在相同速率下功耗则可以降落 25%~30%,让能效比得到进一步的提升。
这款新工艺不仅会供应给移动平台,还有可能会在高性能的处理器或显卡上登场。
不过台积电也表示 N2 工艺要在 2025 年底之前才会正式投产,想在近两年内看到干系产品彷佛可能性不大。
此外,这一次公布的 FINFLEX 技能也很值得关注,这项新技能带来了更多的 N3 工艺设计,包括了 N3E、N3P、N3S 和 N3X 等新工艺,以更高的“设计灵巧性”来应对不同的需求。

(图片来自网络侵删)