来源：EETOP 博客 作者：许欢
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MOS 管作为半导体领域最根本的器件之一，无论是在 IC 设计里，还是板级电路运用上，都十分广泛。目前尤其在大功率半导体领域，各种构造的 MOS 管更是发挥着不可替代的浸染。作为一个根本器件，每每集大略与繁芜与一身，大略在于它的构造，繁芜在于基于运用的深入考量。因此，作为硬件开拓者，想在电路设计上进阶，搞懂 MOS 管是必不可少的一步，本日来聊聊。
一、 MOS 管的半导体构造
作为半导体器件，它的来源还是最原始的材料，掺杂半导体形成的 P 和 N 型物质。
那么，在半导体工艺里，如何制造 MOS 管的？
这便是一个 NMOS 的构造简图，一个看起来很大略的三端元器件。详细的制造过程就像搭建积木一样，在一定的地基（衬底）上依据设计一步步“盖”起来。
MOS 管的符号描述为：
二、 MOS 管的事情机制
以增强型 MOS 管为例，我们先大略来看下 MOS 管的事情事理。
由上图构造我们可以看到 MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结！
三极管的事理是在偏置的情形下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来掌握CE之间的导通，MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。
如上图，在开启电压不敷时，N区和衬底P之间由于载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。给栅极供应正向电压后，P区的少子（电子）会在电场的浸染下聚拢到栅极氧化硅下，末了会形成一个以电子为多子的区域，叫反型层，称为反型由于是在P型衬底区形成了一个N型沟道区。这样DS之间就导通了。
下图是一个大略的MOS管开启仿照：
这是MOS管电流Id随Vgs变革曲线，开启电压为1.65V。下图是MOS管的IDS和VGS与VDS 之间的特性曲线图，类似三极管。
下面我们先从器件构造的角度看一下MOS管的开启全过程。
1、Vgs 对MOS 管的开启浸染
一定范围内 Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth，Vgs 越大，反型层越宽，电流越大。这个区域为 MOS 管的线性区（可变电阻区）。即：
Vgs 为常数时，Vds 上升，Id 近似线性上升，表现为一种电阻特性。
Vds 为常数时，Vgs 上升，Id 近似线性上升，表现出一种压控电阻的特性。
即曲线左边
2、Vds对MOS管沟道的掌握
当 Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth 时，剖析同上曲线左侧，电流Id随Vds上升而上升，为可变电阻区。
当 Vds>Vgs-Vth 后，我们可以看到由于DS之间的电场开始导致右侧的沟道变窄，电阻变大。以是电流Id增加开始变缓慢。当Vds增大一定程度后，右沟道被完备夹断了！
此时DS之间的电压都分布在靠近D真个夹断耗尽区，夹断区的增大即沟道宽度W减小导致的电阻增大抵消了Vds对Id的正向浸染，因此导致电流Id险些不再随Vds增加而变革。此时的D端载流子是在强电场的浸染下扫过耗尽区达到S端！
这个区域为 MOS 管的恒流区，也叫饱和区，放大区。
但是由于有沟道调制效应导致沟道长度 L 有变革，以是曲线轻微上翘一点。
重点备注：MOS 管与三极管的事情区定义差别
三极管的饱和区：输出电流 Ic 不随输入电流 Ib 变革。
MOS 管的饱和区：输出电流 Id 不随输出电压 Vds 变革。
3、 击穿
Vgs 过大会导致栅极很薄的氧化层被击穿破坏。
Vds 过大会导致D和衬底之间的反向PN结雪崩击穿，大电流直接流入衬底。
三、 MOS 管的开关过程剖析
如果要进一步理解MOS管的事情事理，阐发MOS管由截止到开启的全过程，必须建立一个完全的电路构造模型，引入寄生参数，如下图。
详细开启过程为：
t0~t1 阶段：栅极电流对Cgs和Cgd充电，Vgs上升到开启电压Vgs(th)，此间，MOS没有开启，无电流利过，即MOS管的截止区。在这个阶段，显然Vd电压大于Vg，可以理解为电容 Cgd 上正下负。
t1~t2 阶段：Vgs达到Vth后，MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io，涌现电流Ids，Ids与Vgs呈线性关系，这个阶段是MOS管的可变电阻区，或者叫线性区。
t3~t4 阶段：渡过米勒平台后，即Cgd反向充电达到Vgs，Vgs连续升高至终极电压，这个电压值决定的是MOS管的开启阻抗Ron大小。
我们可以通过仿真看下详细过程：
b: ZVS 零电压开关技能是可以肃清米勒效应的，即在 Vds 为 0 时开启沟道，在大功率运用时较多。
c: 栅极负电压驱动，增加设计本钱。
d: 有源米勒钳位。即在栅极增加三极管，关断时拉低栅极电压。
上面已经详细先容了 MOS 管的事情机制，那么我们再来看 datasheet 这些参数就一览无余了。
极限值参数代表运用时的最高范围，功耗和散热是高功率运用时的重点。
体二极管：
在分立器件NMOS管中，S端一样平常衬底，以是导致DS之间有一个寄生二极管。
但是在集成电路内部，S端接低电位或者高电位，不一定接衬底，以是就不存在寄生二极管。
寄生二极管具有保护 MOS 管的浸染，导出瞬间反向的大电流。
四、 MOS 管的驱动运用
MOS 的驱动是运用设计的重点，接下来我们聊聊有哪些驱动办法和特点。
4.1 直接驱动
驱动芯片直接输出 PWM 波
特点：驱动环路间隔不能太远，否则由于寄生电感降落开关速率和导致振铃。其余，一样平常驱动器也难以供应很大的驱动电流。
4.2 推挽式驱动
PWM 驱动通过推挽构造来驱动栅极
特点：实现较小的驱动环路和更大的驱动电流，栅极电压被钳位在 Vb+Vbe 和 GND 与Vbe 之间。
4.3 栅极驱动加速电路
并联二极管可以分流，但是随着电压降落，二极管逐渐失落去浸染。
4.4 PNP关断电路
特点：PNP 在关断时形成短路放电，但是无法完备为 0，二极管 Don 可以钳位防止三极管击穿。
五、 小结
以上大概详细先容了MOS管这一半导体根本元器件的事情事理和运用，详细到事情中还须要的是实际测试和实验，特殊是不断在一些运用中，尤其是运用问题中加深理解。这样或许才能真正的把干系根本知识融入到自己的能力中，游刃有余的办理技能问题。搞技能嘛，和做人一样，从小处做，往高处看。
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