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从上期中我们理解到影响芯片启动延时的紧张成分有设计工艺、事情电压和环境温度，那么测试芯片启动延迟也须要从这几个方面入手。对付普通企业来说，设计工艺和极度温度条件下的测试基本没有必要，设计工艺对延时启动的影响比较小，除非是须要精准度极高的芯片，因此在日常测试中我们只须要关注不同电压下的芯片启动延时即可。
芯片启动延时波形
1. 首先我们须要先确定芯片的输入电压范围，输入电压范围的测试可以查看我们往期的文章进行学习理解。
（图片来自网络侵删）
2. 确定好电压范围之后，可以根据自身企业的需求确定单个或多个丈量点（比如：某芯片的输入电压范围为9V~12V，可以选择9V、12V这两个丈量点）
3. 利用电源给芯片输入9V的电压，同时利用示波器的2个通道分别丈量芯片的输入与输出电压波形，抓取芯片输出与输入的上升波形。
4. 在示波器上选择2个通道的波形，打算出2个波形上升稳定后的延迟韶光，这个韶光即是9V时芯片的启动延时。
5. 后续利用电源输入12V的电压，重复3-4的步骤即可测试出12V是芯片的启动延迟。同样的如果你须要采集多个点的启动延迟，也可以按照上述方法操作即可。
芯片测试系统
以上方案适用于少量芯片和少量测试点，如果须要测试大批量或连续多点位的测试则可以选择利用芯片测试系统进行自动化测试，芯片测试系统会更加用户提前设置好的参数自动化配置测试，无需人工手动调度，测试完成后可以直接导出测试报告，针对芯片设计和生产的大批量测试场景十分适用。
后续更多芯片测试项目可持续关注纳米软件。
