用芯片驱动MOS需要缓冲电阻吗？_负载_电容

上节课讲到用一个mos管来驱动一个继电器，由于继电器是属于感性负载，当电流变革所感应出来的高电位就有可能通过mos管的寄生电容。
寄生电容便是漏极与栅极之间的电容，cgd通过电容耦合到驱动端就有可能危害cmos芯片。
以是常日的做法便是在逻辑芯片和mos管之间增加缓冲的电阻限流电阻。

现在有同学提出另一个问题，假设现在接的负载并不是感性负载，而是电阻负载，比如接一个10欧姆的负载，这时候还须要保护电阻吗？实在电阻的浸染是什么？电阻的存在便是为了限流，防止反馈的栅极电流对驱动芯片造成冲击，也便是电阻的浸染便是限流。

现在就要考虑一下电流从哪里来的？

·第一种便是刚才说的感性的负载，它会感应出高电位通过寄生电容cgd来对驱动芯片造成冲击。
第一种便是由感性负载所引起的。

·再来看第二种情形，假设没有感性负载的存在，现在接的是电阻负载，这时候还会不会有反向的冲击？实在由于mos管有寄生电容的存在，除了cgd还有一个输入电容，也便是cgs。
只要有电容的存在就会对掌握旗子暗记进行充放电，有充放电就会有电流的存在，以是电流便是栅极本身的动态电流。