这个事情让我们再一次意识到了国产芯片独立自主的主要性。
但是过去多年虽然我国投入了很多精力进行芯片研发，但是由于在一些核心技能上始终没有得到打破，以是我国芯片研发仍旧面临重重困难。
虽然目前我国在一些中低端芯片上已经完备可以实现国产化，但是对付高端芯片特殊是7纳米以上的高端芯片，仍旧完备依赖入口，即便类似华为这种企业有能力设计出7纳米乃至5纳米的芯片，但是想要把这种设计转化为实实在在看得见的芯片，还要委托给台积电进行生产。
现在华为被M国限定之后，未来七纳米芯片面临很多不愿定成分，一旦台积电120天缓冲期过去之后，将意味着从9月下旬开始，他们将不能连续代工华为的芯片，这对付华为来说影响是非常大的，如果M国对华为的限定没有放松，未来几年华为都有可能受到很大的影响。
不过天无绝人之路，虽然我国在硅基芯片上跟国际顶尖水平有很大的差距，在高端芯片上乃至处处受制于人，但是由我国自主研发的碳基芯片，最近已经取得了新的打破，未来即便没有EUV光刻机，我国也有可能生产出一些高性能的芯片。
2020年5月26日，由中国科学院院士彭练毛和张志勇教授组成的碳基纳米管芯片研发团队在新型碳基半导体领域取得了重大的研究成果。
2020年5月22日《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》这篇论文在科学上揭橥。
电子学系2015级博士研究生刘力俊和北京元芯碳基集成电路研究院工程师韩杰为并列第一作者，张志勇和彭练矛为共同通讯作者。
该课题组采取多次聚合物分散和提纯技能得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限定自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。
这意味着经由过20年的研发韶光，我国不仅打破了碳基半导系统编制造设备的瓶颈，而且实现了碳基纳米管晶体管芯片制造技能的环球领先地位。
与传统的硅基芯片比较，碳基芯片功耗和本钱更低，性能更强，据彭练矛毛教授称，同等栅长的碳基芯片比硅基半导体功耗至少降落三倍以上，运行速率也提高了三倍，用碳牵制成的芯片有望利用在手机和武器为基站中。
那这种碳基芯片到底有多强大呢？
2017年1月，彭练矛率团队研制出高性能5nm（纳米）栅长碳纳米管CMOS器件，这是天下上迄今最小的高性能晶体管，综合性能比目前最好的硅基晶体管领先十倍，靠近了理论极限。
其事情速率3倍于英特尔最前辈的14nm商用硅材料晶体管，能耗却只有硅材料晶体管的1/4，干系成果揭橥于《科学》。
这意味着如果未来碳基芯片管能够家当化，将可以让我国摆脱对西方硅基芯片的依赖，按照碳基机芯片性能是硅基芯片的3倍来打算，要生产出5纳米的芯片，只须要具备14纳米光刻机就可以，用不到7纳米光刻机，这样就不用看荷兰ASML的神色了。
而目前由上海微电子自主研发的28纳米光刻机，估量将在2021年投产，按照这个研发速率，未来上海微电子还有可能研发出14纳米的光刻机，如果将14纳米光刻机和碳基芯片结合在一起，我国将可以大幅缩小跟西方硅基芯片的差距，乃至达到领先的目的，从而摆脱西方一些国家对我国的技能封锁。
当然，目前摆在我国面前的还有很长的路要走，虽然北京大学在碳基纳米管上取得了技能上的打破，但是碳纳米管集成电路批量化制备的条件是实现超高半导体纯度、顺排、高密度，大面积均匀的碳纳米管阵列薄膜，这对付制造工艺会哀求更高。
以是短期之内碳纳米芯片暂时没法进行量产，碳基芯片要真正运用在手机以及基站上面，估计还须要数年乃至10年以上的韶光。
