运放这个器件相对付电阻，电容，三极管，MOS管等器件算是比较繁芜的，而且电路中也常用，出问题的情形也多，显然一篇文章根本就说不明白运放，因此，我可能要写很多期。详细多少期，写哪些内容，我一向都是不做操持，为所欲为，兄弟们有需求也可以提，我可以看情形安排。
背景先容完了，那么就开始了。
第一步，空想运放
首先，第一个问题，我为什么要说空想运放呢？
由于一样平常来说，我们理解一个东西，都是先将它当做空想来看的，这样最为大略，也最随意马虎懂。
当我们拿到一个陌生的电路，首先我们肯定是要知道这个电路是干什么用的对不？
这个时候我们就先不用考虑电路中器件的非空想特性，比如先不考虑温漂，泄电，寄生电感，寄生电容等等这些。我们就先把它当做空想的，然后看这个电路到底实现了什么功能，运放电路一样平常也是这么剖析的。
等我们知道这个电路是干啥用的，然后再看看器件的哪些特性会导致这个电路失落效，或者说不按照预期的事情，这个时候就要考虑非空想特性了。
以是，我们理解空想运放的目的，便是为了在一开始的时候能快速的剖析出电路的事情事理，实现了什么功能。
其次，空想运放有哪些特性呢？
空想运放紧张有以下三点：
1、增益无穷大
2、输入阻抗无穷大
3、输出阻抗为0
那么这三点特性又是怎么来的呢？
1、增益无穷大
增益无穷大好理解，由于一样平常运放的增益便是很大的，比如Ti的uA741，开环增益是105dB旁边，打算一下是多少倍呢？
20log(Av)=105dB，打算得Av=10^5.25=177828，大约是18万倍。相对付我们一样平常电路中几十倍的放大倍数，这个很大了。
2、输入阻抗无穷大
空想运放的输入阻抗无穷大，我们看看实际运放的，还是以Ti的uA741为例，如下图：
可以看到，输入阻抗还是比较大的，范例值是2MΩ，实在这个芯片在运放中阻抗算是偏小的了。比如TI的其余一款芯片LM358的输入阻抗就更大，差分输入阻抗10MΩ，共模输入阻抗4GΩ。
总之，运放的输入阻抗便是比较大的，因此呢，我们在进行事理性，剖析电路事情事理的时候，便是把运放的输入阻抗算作是无穷大的。
3、输出阻抗为0
空想运放的输出阻抗可以算作是0。
一样平常我们不会用运放直接驱动大功率的负载，而运放的输出阻抗一样平常也便是几十Ω或者上百Ω，相对后级来说，输出阻抗可以忽略，因此可以将运放的输出阻抗看出无穷小，也便是0，这样剖析起来方便，而且结果也不会有太大的差异……
原文链接：https://www.dianyuan.com/eestar/article-5952.html
运放2：放大器的电阻的选择
本文讲一讲运放周围电阻的选取，范例问题如下：
如下图：如果我们把运放当作空想的，那么放大电路的增益便是两个电阻的比值，如果要让增益即是2，那么R1和R2分别是2K，1K能达到目的，20K，10K也能达到目的，200K，100K也能达到目的，2Ω，1Ω看着也能达到目的，那么这些阻值都是可以的吗？
电阻大小影响什么？
这个问题以前也没有穷究过，虽然大抵知道一些影响成分，估计也是一些片面的成分，恰好借这个机会专门查一查下面便是查到的一些内容。
电阻的影响紧张有这几个方面：
1、驱动能力与功耗
2、偏差
3、稳定性
放大器驱动能力与功耗
显然，电阻越小，功耗越高，放大器的输出电流也是越大的。
如上图的例子，如果R1=2Ω，R2=1Ω，很容算出来，流过反馈电阻的电流是1A，这个电流是从放大器输出来的，显然这个电流太大了，一样平常的放大器都不会有这么大的驱动能力。
以TI的通用运放LM2904为例，其输出能力如下图：
我上面举例的电路，运放是往外输出电流的，这个电流叫做拉电流(Source)。如果电流是从输出端往运放里面流，那么便是灌电流（sink）。图中的吸电流该当便是拉电流的意思，我找了对应的英文的手册，里面便是source。
总之，这个LM2904运放的最大输出拉电流（source）最小值为10mA（范例值为30mA），以是针对上面的电路，显然，输出电压最大时，输出电流最大。如果采取3.3V供电，那么输出电压不会超过3.3V，以是最大输出电流Imax=3.3V/R1<10mA，打算得R1>330Ω，即反馈电阻R1至少要大于330Ω。
如果电阻小于这个，那么电流会大于10mA，那么输出电压幅度会降落，也会发生畸变。如下图是LM2904的输出电压与输出电流的关系，在电流过大时，输出的最大摆幅是会低落的。图中纵坐标我理解是“Vcc-Vout”，这个放大器为非轨至轨运放，在电流较小时，输出最大电压只比VCC小1.2V旁边，当输出电流大于30mA，可以看到纵坐标“Vcc-Vout”急剧上升，即Vout急剧低落，输出电压幅度降落。
这里提一下，为什么图中是30mA呢？而我打算用的是10mA？从前面表中看出，30mA是范例值，显然，我们真正设计要考虑温度，器件同等性，以是计数时用的是表中的最小值，即10mA。
根据运放的驱动能力的限定，我们可以得到反馈电阻的最小值，那么电阻上限值如何得到呢？
偏差
如果反馈电阻过大，输出偏差可能会增大，这里缘故原由我紧张想到2点
1、电阻本身是有噪声的，阻值越大，噪声越大
2、电阻过大，增大了偏置电流引起的失落调电压
关于第一点，一样平常有一个原则，便是电阻噪声，不能大于运放本身的噪声。由于运放本身的噪声大小与成本相关，如果花了钱选了一个高精密的运放，结果电阻噪声占主导地位，这显然是不合理的。
以是呢，我们须要打算运放的噪声和电阻的噪声。
先来看运放的噪声。
查看LM2904手册，噪声电压密度曲线如下：
我们要先求电路的带宽噪声，系统带宽这里指的是运放电路的带宽，上面电路放大两倍，LM2904本身的增益带宽积为0.7Mhz，以是系统3dB带宽为：0.7Mhz/2=0.35Mhz。这个电路等效为一阶滤波器，带宽还须要乘以干系的系数1.57，因此，终极系统带宽为：0.35Mhz1.57=0.55Mhz……
原文链接：https://www.dianyuan.com/eestar/article-5959.html
运放3：失落调电压Vos的理解与仿真验证
还是先带着问题看比较好，我们可以先想一下这几个问题：
1、失落调电压是啥？咋产生的？
2、失落调电压一样平常是uV，mv级别的，这么小，电路设计还须要考虑吗？它到底有啥用？如果要考虑，该咋考虑呢？
失落调电压是啥？咋产生的？
如上图，我们评估运放的失落调电压时，一样平常建立上面的模型。我们将Vp和Vn对地短路，如果是空想放大器，那么输出Vo该当是0V。
真实放大器内部处理Vp和Vn的输入级可能并不是空想的，其对应的晶体管会有偏差。导致当Vp=Vn=0V时，Vo并不是0V。
要想让Vo为0V，我们须要在输入端加上一个电压，这个电压便是失落调电压Vos。我觉它的英文名input offset voltage（输入偏置电压）更随意马虎理解一点。
为啥输入管子不一致会产生失落调电压？
可能不好理解为什么管子不一致会导致产生失落调电压。我结合看的资料，自己想了下，以为可以这么理解（只是我的想法，不一定对）。
如上图，这是运放LM2904的框图，运放一样平常分为三级，第1级是输入级，对应图中的阴影部分，其输出Ib是后面两级的输入；第2级是中间级，紧张供应放大倍数，第3级是输出级，紧张是为了能改进带载能力，当然也有一定的放大能力（后两级未明确指出）。
我们看下输入级，最下面的两个管子构成了电流镜，这个电流镜在之前说TL431的时候我们聊过，再粘过来复习下。
根据电流镜，有IC4=IC1，然后如果说输入级的管子完备一样，IN+和IN-电压又一样，那么一定有IC1=IC2。结合两式子，就有IC2=IC4，进而推出Ib=0。
Ib=0有什么分外的吗？
Ib=0该当就对应运放线性区的中央点。我们回忆一下运放的利用，运放工作在线性区时，是不是有“虚短”，便是IN+即是IN-，那不就对应Ib=0吗？
前面说的是IN-和IN+输入管子完备一样的情形，但是我们知道，实际生产中，管子肯定是有一定差别的，这就导致了在IN-和IN+电压一样的时候，导致IC1和IC2不一样，而由于电流镜，IC1=IC4依然成立，这样就导致IC2≠IC4，终极导致Ib≠0。这个Ib输入到后两级电路中被放大，终极反应到out端。
如果我们想要Vout=0，那么就要Ib=0，这时候就得在IN+和IN-端加一个电压差，来抵消管子差异带来的影响，恰好让IC1=IC2，这个压差实在便是Vos。
运放给出的Vos一样平常是一个范围，同一个型号的运放，不同的个体之间，Vos也是不同的，如下图是LM2904的不同个体之间失落调电压的分布情形。
到这里，脑筋里该当对付运放的Vos有一个基本理解了吧，下面看看电路设计须要如何评估这个参数的影响。
电路设计时，Vos要不要考虑？
下图是LM2904手册中标注的失落调电压……
原文链接：https://www.dianyuan.com/eestar/article-5976.html
运放4：偏置电流Ib与失落调电流Ios(1)
本日来说一说运放的偏置电流和失落调电流，我们还是带着问题看，先想想下面几个问题：
1、为什么不同运放的偏置电流差这么多？缘故原由是什么？
2、运放输入端偏置电流方向是什么样的呢？是可以流进，也可以流出的吗？
3、实际运用中偏置电流是如何引起偏差的呢？
4、实际运用中失落调电流是如何引起偏差的呢？
5、电路设计时该当如何考虑偏置电流和失落调电流的影响呢？
要想回答上面这些问题，我们首先须要理解偏置电流和失落调电流到底是怎么产生的。
偏置电流、失落调电流是什么？
我们前面说过，空想运放的同相端和反相真个输入电流为0，以是才有“虚断”的说法，但是实际运放的输入管脚都会流入或流出少量的电流，并且常常同相真个电流和反相真个电流还不相等。
我们如果将流入同相真个电流用Ib+表示，流入反相真个电流用Ib-表示，那么放大器的输入偏置电流Ib便是Ib+和Ib-的均匀值，即Ib=(Ib+ + Ib-)/2。
可以看到，偏置电流便是同相和反相端电流的均匀值，而失落调电流，衡量的是2相电流之间的差异。
我们还是以前几期的LM2904举例子，如下图：
图中标注IB便是LM2904的输入偏置电流，范例值为-20nA，Ios为输入失落调电流，范例值为2nA。失落调电流是偏置电流的十分之一，解释这个放大器同相端和反相真个电流还是比较靠近的。
那么偏置电流是如何产生的呢？
偏置电流的来源
显然，偏置电流取决于流入或流出放大器同相端和反相端电流的大小，是日然和放大器输入级的布局晶体管类型有莫大的关系。
我们知道，晶体管有好几种，比如双极性晶体管BJT，结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。然后它们又分什么NPN，PNP，N沟通，P沟道，这样算起来种类还是不少的。
就输入阻抗而言，一样平常是MOSFET>JFET>BJT的，我是怎么记住这个的呢？我没有刻意去记住，而是理解的办法，脑筋里面回忆下这几个管子的构造也就出来了，这里也分享一下。
大体是这样的：
BJT三极管我们该当都比较熟，其是电流驱动的，其放大的时候，要给它得当偏置，b和e之间是有正向电压的，是一个有正向压降的PN结，处于放大区的时候里面是有电流流动的。
JFET分立管子用得非常少，我到目前还没用过这个，但是教材上都有这个器件的构造，集成运放也是有这种构造的，其事情的时候，输入端也可以理解为一个PN结，不过是反偏的（通过反偏掌握耗尽区的厚度来掌握导电沟道的宽度），也便是说电流很小。但是我们知道施加反向电压的PN结也是会泄电的，就像我们用的二极管，也会有泄电流这个参数。显然，这个电流要一样平常比三极管的输入电流Ibe要小，那么其直流输入阻抗也就比其要大。
MOSFET我们用得比较多，其栅极与衬底极是二氧化硅绝缘体，既然称为绝缘体，那阻抗就是非常大了，基本没有电流，因此，它的直流输入阻抗是最高的……
原文链接：https://www.dianyuan.com/eestar/article-5977.html
运放5：偏置电流Ib和失落调电流Ios(2)
先把上期没回答的三个问题放上来：
3、实际运用中偏置电流是如何引起偏差的呢？
4、实际运用中失落调电流是如何引起偏差的呢？
5、电路设计时该当如何考虑偏置电流和失落调电流的影响呢？
偏置电流是如何引起偏差的？我们最常见的同相放大电路，反相放大电路如下图，空想情形下，在输入为0时，输出该当也是0。但是现在是非空想的，放大器有偏置电流Ib，这会造成输出就不为0了。根据电路的叠加事理，当输入为0时，这个输出不为0的电压便是偏置电流引起的偏差。
输入为Vin=0时，不论是同相还是反相放大电路，终极的电路都变成了下面这个：
若是没有偏置电流，显然，上面输出Vo=0。
现在考虑偏置电流的影响，由于同相端和反相真个偏置电流可能并不相同，同相真个电流用Ib+表示，反相真个偏置电流用Ib-来表示，我们来求一求输出电压Vo是多少。
显然，流过同相真个电流即是流过电阻Rp的电流，由于电阻Rp左边接gnd，随意马虎得到，同相真个电压vp便是电阻Rp的电压，假定电流方向向右，因此Vp=-( Ib+) Rp。
我打算偏置电流的影响的时候，就先不考虑运放失落调电压Vos的影响，那么根据虚短很随意马虎就能求得Vo的表达式，详细过程如下图：
不过这个Vo的公式也看不出啥来，我们须要将其转化一下，由于一样平常放大器手册中标注的参数是Ib和Ios，而不是我上面写的Ib+和Ib-。
我们上一节已经知道了Ib和Ios的关系，那么就可以将Ib+和Ib-用Ib和Ios来表示：
然后我们将Ib+和Ib-代入到Vo的表达式中，就可以得到下面的式子了。
现在我们已经有了Vo的表达式，这实在便是偏置电流Ib和失落调电流Ios引起的偏差。这个公式回答了前面的两个问题，偏置电流和失落调电流是如何引起偏差的。
电路设计该如何考虑呢？
显然，我们希望Vo越小越好，从上面表达式中可以知道，如果Rp的阻值为R1和R2的并联阻值，即Rp=R1R2/(R1+R2)，表达式中第一项为0，那么我们可以消散落Ib的影响……
原文链接：https://www.dianyuan.com/eestar/article-6073.html
运放6：运放的增益都搞明白了吗？
开环增益和闭环增益
一样平常说到运放的增益，可能有两个，一个叫开环增益，另一个叫闭环增益。
关于这两个增益的定义，我以为下图该当说清楚了：
实际放大电路中，一样平常是有反馈的，也便是说是构成了闭环电路。那么是不是便是说我们不用关心开环增益AoL呢？
答案当然是否定的。虽然我们总是更关心结果——闭环增益，但是这个结果是受到开环增益AoL的影响的。
我们可以看到，开环增益AoL=vo/(vp-vn)，这里面是没有电阻的，也便是说这个参数是运放的自有属性，跟你外部接成什么样的电路是没紧要的。
就拿上面的的图来说，闭环情形下，电路的增益我写的是：A闭环=1+R1/R2。这个总是成立的吗？当然不是，它是有条件的，这个成立的条件便是建立在“AoL=无穷大”的根本之上的。而实际情形是，运放的AoL并不总是无穷大，它跟频率还有关系。详细的影响后面再看，我们先看看AoL是如何影响闭环增益的。
开环增益是如何影响闭环增益的？
我们来剖析下AoL是如何影响闭环增益的，假定运放的开环增益AoL不是无穷大，而是某一个有限的值，那么”虚短”这时候是不能用的，只能用”虚断”（虚断成立的条件是运放的输入阻抗无穷大）。
可以看到，如果运放的AoL不是无穷大，那么实际电路的闭环增益是和电阻有关系的。我们代一些详细的值进去看看影响有多大，假设R2=1K，R1=9K。开环增益从1到1百万时，闭环增益的情形如下图：
从上面至少可以看到两点：
a、在AoL比较小的时候，实际增益就与空想情形下的增益有明显差异了。比如如果AoL=1000，实际闭环增益Av=9.901，与我们想象的放大10倍就已经有1%旁边的差异，如果AoL=100，实际Av=9.09，差不多有10%的差距了。
b、在AoL比较大的时候，同等性哀求低。只管AoL=100万和AoL=10万二者相差了10倍，但是闭环增益一个是9.9999，一个是9.999，相对付空想情形下的10来说，偏差都非常小。也便是说只要运放开环增益AoL足够大，闭环增益都基本稳定在同一个值，正是由于这样，我们对运放的开环增益AoL的同等性哀求就很低了，只哀求大就可以了，不管是50万倍还是100万倍，闭环增益都基本一样。我们实际运放的AoL也确实没那么精确。
以LM2904为例，如下图，其范例开环增益AoL是140V/mV=14万倍，最小值为7万倍，如果考虑温度，那就只有3.5万倍，至于上限，都是没有标出来的。总的来说，便是器件的开环增益同等性比较差，但是由于够大，也不影响我们利用。
除此之外，我们还该当看到第3点：
c、闭环增益越大，哀求AoL越大。上面是放大10倍的情形，闭环增益偏差1%时对应的开环增益是1000。如果我们放大100倍（即设计闭环增益=100倍），哀求实际运放闭环增益与空想运放只有1%的差距，那么须要AoL≈10000（此时闭环增益Av=99）。相对付10倍只须要AoL=1000，此时AoL=10000提高了10倍。这可以自己算一下，就不再写出来了。
之以是前面写了这么多，便是由于运放的AoL本身就不是固定的，它跟频率有关系，这也就造成了运放的利用有了限定。
还是以LM2904为例，手册表格中的AoL=140V/mV=14万倍=20log(140000)=102db。手册还给出了AoL与频率的关系曲线，如下图：
从图中可以看到，AoL随频率是一贯不才降的，最左边的频率为100Hz，开环增益AoL=82dB旁边，相对表格中的直流开环增益AoL=102dB，低落了20dB，也便是10倍。频率为1Khz的时候，AoL=62dB旁边，相对直流AoL低落了40dB，也便是100倍……
原文链接：https://www.dianyuan.com/eestar/article-6246.html
运放7：运放的压摆率SR啥时候考虑
先来看一个详细的例子，压摆率SR造成的问题征象。
例子：
1、利用TI的TLV9061轨至轨运放，构建下面的放大1倍的反相放大电路。
正常情形下，如果我输入1V正弦波，那么输出也是1V正弦波。
2、现在我们输入1Mhz的1V的正弦波进去运行下：
可以看到，输入1V，输出1V，有一点相移，但是没毛病。
3、将输入旗子暗记调大，频率保持1Mhz不变，幅度调到1.5V我们再运行一下：
可以看懂，输入1.5V的时候，输出严重失落真，不仅幅度达不到1.5V，波形也酷似三角波。这是为啥嗯？1V输入的时候没问题，1.5V的时候输入有问题，难道是运放仿真模型不对，为非轨至轨？
4、我们将输入频率从1Mhz降落到500Khz，幅度保持1.5V再运行下看看：
可以看到，幅度不变，仅仅将频率降落一倍，输出也OK了，解释不是轨至轨的问题，那是带宽的问题吗？
要知道TLV9061的增益带宽积是10Mhz，现在电路放大倍数为1倍，这种情形下理论可以放大10Mhz的旗子暗记，现在才1Mhz就弗成了？其余1V/1Mhz输入没问题，解释也不是带宽的问题，然后又不是幅度的问题，由于1.5V/500khz又没问题，解释输出达到1.5V是没问题的，那到底是哪里的问题呢？
答案自然是前面提到的压摆率SR的问题了。
压摆率SR
先看下压摆率SR是怎么定义的？
运放的压摆率SR 被定义为由输入真个阶跃变革所引起的输出电压的变革速率。它的单位是V/us。
压摆率SR表明了运放输出端所能供应的最大变革速率，如果输出端要想输出比这个速率还快的变革，那么运放就供应不了，这就会导致输出波形变形，原来的正弦波就变成了三角波。
设计中该如何考虑？
大略来说，在设计中，我们一样平常是知道我们输入的旗子暗记是长什么样子的，也知道运放的放大倍数，那么也就知道我们输出旗子暗记长什么样子，我们须要担保输出旗子暗记的最大斜率小于运放的SR参数就可以了。
以正弦波为例，如果我们须要运放输出幅度Vp，频率F的旗子暗记，那么须要运放的SR达到多大呢？
对付正弦波而言，幅度Vp，频率F旗子暗记可以用式子Vo(t)=Vpsin(2πFt)来表示。我们可以求得它的斜率表达式（实在便是高中的函数求导）:
dVo(t)/dt=2πFVpcos(2πFt)。
我们很随意马虎求得这个dVo(t)/dt的最大值为：2πFVp，也便是说我们须要这个值小于运放的SR。
即：2πFVp<SR。
式子2πFVp里面有两个变量，一个是旗子暗记幅度Vp，一个是旗子暗记频率，在旗子暗记幅度比较小，频率低时，2πFVp<SR这个条件比较随意马虎知足。与此同时，频率一样平常会受到带宽的限定，以是，输出旗子暗记幅度小的时候，频率知足增益带宽积哀求时，压摆率一样平常不会有问题。而旗子暗记幅度大的时候，纵然频率在增益带宽积范围内，也有可能由于压摆率不足导致旗子暗记失落真。
关于上面这一点，百度百科说得很清楚：
回到前面的问题
前面的例子中，我们有三种输入的情形，对应期望的输出旗子暗记是
a、1V/1Mhz
b、1.5V/1Mhz
c、1.5V/500Khz
我们利用公式：[dVo(t)/dt]max=2πFVp分别打算下这三个旗子暗记的最大斜率为：
a、1V/1Mhz时最大斜率：23.141000000Hz1V=6280000V/s=6.28V/us
b、1.5V/1Mhz时最大斜率：23.141000000Hz1.5V=9.42V/us
c、1.5V/500Khz时最大斜率：23.14500000Hz1.5V=4.71V/us
我们再从运放TLV9061手册中得到其压摆率SR=6.5V/us
可以看到，a和c两种情形都是知足最大斜率[dVo(t)/dt]max<SR的，以是其波形没有失落真。而b这种情形，其最大斜率为9.42V/us，而运放最大只能输出SR=6.5V/us，运放的能力输出不了9.42V/us这么快，以是输出就失落真了。
以上便是为什么我们输入1.5V/1Mhz正弦波，输出波形严重失落真的缘故原由……
原文链接：https://www.dianyuan.com/eestar/article-6318.html
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