标称功率：300W ；持续功率：250W ；峰值功率：600W ；
输出电压：输出为单相220VAC（有效值），频率为50±1Hz。
整机效率：87% 以上；300次开机短路，200次短路开机；
过载保护 500W ；短路立即保护；欠压告警10.3V 延时1.5S；
欠压保护10V 立即关断；过压保护15V 立即关断；过热保护：65℃
二、此款逆变器的基本情形（架构，组成）
总体来说，这是一款12V单极性隔离纯洁弦波逆变器，这款逆变器由三大部分组成：前级驱动板；后级驱动板；功率板。
1、前级驱动板紧张是由三个部分组成，供电电源部分，PWM 驱动部分，和过欠压保护部分；
2 、后级驱动板紧张由三个部分组成：SPWM 旗子暗记的产生（单片机EG8010）部分，IR2110的驱动部分，和过流保护保护部分。（详解请见EG8010 SPWM芯片数据手册）
3 、功率板紧张组成部分：功率板紧张包括了前级反接保护，DC-DC推挽升压，整流滤波和H桥逆变部分；还包括了过流保护电路，准闭环反馈部分和欠压告警电路等小部分。
三、电路构造及事理剖析
1、前级驱动板
A 、供电电源部分
在前级驱动电路中，BT输入电压范围为10～15V，而SG3525事情电压范围宽为 8～35V，LM358单电源电压范围宽为3～30V，以是BT电压足以驱动两块芯片，以是前级供电电源部分可以直策应用BT供电。
B 、PWM 驱动部分
如上图所示，电路由SG3525产生PWM旗子暗记，当这部分电路接入12V 的电源后，SG3525得电，进而由内部振荡器和外部振荡电容C4、电阻R5及去世区韶光设置电阻R8构成的振荡电路产生钜齿波，为全体IC供应时钟源，让IC进行事情状态，由于接入了开机软启动电容C6。开机后输出的矩形脉冲是先从最小占空比变革到50% 的状态的，紧张是保护此旗子暗记所推动的MOS 不是一开机步事情在较大的占空比状态，减轻了开机瞬间 MOS 的冲击压力。
SG3525芯片，其PWM旗子暗记由11脚和14脚且两脚输出，输出波形相位相差180度，互为反相。把稳上图中在PWM1和PWM2两路旗子暗记中有两个10K 的电阻（R10和R11）将PWM 旗子暗记拉到地，这有什么用呢，实在这个下拉非常有必要，是给SG3525 的PWM 旗子暗记加一个假负载，使旗子暗记稳定不浮跃。在关机时不会由于一些静电而产生高电平，使功率板上的MOS 栅极同时产生高电平，在大容量电池供电情形下导通而炸管。SG3525管脚图如下（更多详解请见SG3525资料）
1.Inv.input(引脚1)：偏差放大器反向输入端
2.Noninv.input(引脚2)：偏差放大器同向输入端
3.Sync(引脚3)：振荡器外接同步旗子暗记输入端。
4.OSC.Output(引脚4)：振荡器输出端。
5.CT(引脚5)：振荡器定时电容接入端。
6.RT（引脚6）：振荡器定时电阻接入端。
7.Discharge(引脚7)：振荡器放电端。
8.Soft-Start(引脚8)：软启动电容接入端。
9.Compensation(引脚9)：PWM比较器补偿旗子暗记输入端
10.Shutdown(引脚10)：外部关断旗子暗记输入端。
11.Output A（引脚11）：输出端A。
12.Ground(引脚12)：旗子暗记地。
13.Vc(引脚13)：输出级偏置电压接入端。
14.Output B（引脚14）：输出端B。引脚14和引脚11是两路互补输出端。
15.Vcc（引脚15）：偏置电源接入端。
16.Vref(引脚16)：基准电源输出端
在此电路中SG3525的电压反馈采取了准闭环调制。其事理是，由SG3525的16脚产生的+5V经R9和R4分压供应，给SG3525 的2脚引入一个固定基准电压，1脚接前级升压后的高压分量HV，当输出高压的分量HV大于2脚上的固定值时，SG3525内部偏差放大器将会将大于2脚的电压的变量作为偏差，对其进行放大，偏差放大的量来对PWM 的占空比进行调制，使逆变器在开机空载时有一个很小的静电流。做好这一功能的原则是，在空载时能使PWM 的占空比达到最小，在带载的时候要立时将占空比拉到最大，利用电路事情在最高效率状态。C、过欠压保护部分
如上图所示，保护部分的电路由LM358完成，这个保护电路是一个大略的窗口比较电路，只包括了过压保护和欠压保护。事情事理剖析如下：由于BT输入电压范围为10～15V，当BT低于10V时为欠压，BT高压15V时为过压，以是设置USW=10V欠压时，U1为欠压保护基准点，当USW=15V过压时，U2为过压保护基准点。如上图由+5V供电，R7,R14，R22设置比较器的基准电压U1、U2。
欠压保护：当SW端电压USW≦10V时，LM358的6脚电压Usw1就会低于5脚电压U1，7脚输出高电平，即SD掌握脚为高电平，以是SG3525的10脚掌握脚SD为高电平，甚至关断PWM旗子暗记输出。
过压保护：当SW端电压USW≧15V时，LM358的3脚电压Usw2就会高于2脚电压U1，7脚输出高电平，即SD掌握脚为高电平，以是SG3525的10脚掌握脚SD为高电平，甚至关断PWM旗子暗记输出。
把稳：如上图，R20和R21很主要，都为1M电阻。在电路中起到正反馈的浸染，使LM358构成滞回电路。有效的减少开关振玲；调节电位器R22可以改变滞回电路的阈值及回差大小。
2、后级驱动板
【负责阅读EG8010 SPWM芯片数据手册中的引脚描述，根据所需功能选择引脚的功能参数。】
1）电源供电部分：
由+5V给EG8010供电，须要+5V稳定的电源为后极板供电；由+15V给IR2110S芯片供电。该电源部分紧张由变压器的赞助电源经全波整流、滤波和稳压之后产生,如下图所示（该部分在功率板上）：
2）SPWM部分
A 、SPWM的产生
紧张由单片机芯片EG8010产生。（详解请见EG8010 SPWM芯片数据手册）
B、保护部分
1）过流保护检测：
电路参照《EG8010 SPWM芯片数据手册》6.2 EG8010+IR2110S+闭锁纯洁弦波逆变器范例运用电路图（单极性调制办法）
用RS电流采样法，即在后级功率H桥的下管S极到功率地串接采样电阻，当涌现过载或短路时，会有较大电流流过采样电阻，进而产生压降，利用专业比较器采集此压降和一个固定阈值进么比较，大于此值时输出高电平，而后引这个高电平来做保护关断旗子暗记，在过载的时候关断前级PWM 和后级SPWM 驱动旗子暗记，保护前后级MOS管不因过大电流而破坏。
将采集到的旗子暗记，经滤波之后分两路走，一起经R38和C24组成的延时网络进行短暂的延时之后，再掌握单片机EG8010的14脚IFB，判断是否关断SPWM旗子暗记；一起引入比较器LM393的3脚与2脚的基准电压比较之后，再由比较器的1脚产生的旗子暗记来掌握两块IR2110S的13脚SD端。
由于在带感性或容性负载时，刚接入负载时冲击很大同，此时的功率可能会超过逆变器所设计的过载功率，但又不能一过载就关断，以是在接入比较器前将旗子暗记进行RC (R7、C21)延时，如果在延时时间后仍旧过载就关断了，如果没有没有过载就连续事情，这样就有利于逆变器稳定有效的带动冲击性大的负载。在上图中.短路保护和过载保护的办法类似,短路保护便是严重过载,只是在过载时延RC 常数要设置在短路后后级H 桥不烧MOS 的范围内就可。
2）输出电压反馈调度：由于本电路为单极性逆变电路，以是在单极性调制模式下，EG8010芯片的电压反馈是通过13脚VFB丈量逆变器的互换输出。
如下图所示：对高频臂进行旗子暗记采集，采集后接EG8010的13脚VFB端口，对输出电压值作出相应调度。
3）温度检测反馈：EG8010芯片15脚TFB用来检测逆变器事情温度，紧张用于过温检测和事情温度液晶显示浸染。选用25℃对应阻值510Ω的热敏电阻；如果不该用温度保护功能，该引脚须要被接地。
4）风扇掌握：
EG8010芯片的7脚FANCTR为风扇掌握端，该电源部分紧张由赞助电源经半波整流、滤波供应，,如下图所示（该部分在功率板上）：当芯片15脚TFB引脚检测到温度高于45℃时，芯片7脚FANCTR端输出高电平，三极管S8050集电极和发射机导通（三极管为开关浸染），风扇运行，运行温度低于40℃时，芯片7脚输出低电平，风扇停滞事情。
5）去世区韶光设置：EG8010芯片的1脚DT1和2脚DT0是掌握去世区韶光，去世区韶光掌握是功率MOS管的主要参数之一，如果没有去世区或去世区韶光太小会导致H桥高下管同时导通而烧毁MOS管的征象，如果太大会导致波形失落真及功率管发热严重的征象。详见EG8010 SPWM芯片数据手册引脚描述，根据须要选择去世区韶光。
C、IR2110S的驱动部分：
IR2110S驱动电路是范例的运用电路。其事情事理就不多讲了，大家可以自己下载电路图后剖析。（更多即可网上搜索IR2110资料）
管脚图及引脚名称：
LO （引脚1） :低端输出
COM（引脚2） :公共端
Vcc（引脚3） :低端固定电源电压
Nc （引脚4） :空端
Vs （引脚5） :高端浮置电源偏移电压
VB (引脚6) :高端浮置电源电压
HO （引脚7） :高端输出
Nc （引脚8） :空端
VDD（引脚9） :逻辑电源电压
HIN（引脚10）:逻辑高端输入
SD（引脚11） :关断
LIN（引脚12）:逻辑低端输入
Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0V
Nc（引脚14） :空端
3、功率板部分
A、前级反接保护,如下图所示：
上图中场效应管为IR1404（TO-220封装）N沟道MOS管，MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R44=10Ω和R13=10K为MOS管供应偏置电压，利用MOS管的开关特性掌握电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来破坏。正接时候，R44供应栅极电压Vgs，MOS饱和导通。反接时Vgs不能达到MOS的开启电压，MOS不能导通，以是起到防反接浸染。
B、供电电源部分
由于本电路是隔离电路，以是前后两级都运用不同的电源供电。以是前级用78L05（TO-92）供电，后极用7815(TO-220)和7805(TO-220)供电（见前面后极驱动电源供电部分）。如下电路图所示：
C、DC-DC推挽升压，整流滤波和H桥逆变部分：
该机的BT电压为12V，满功率时，前级事情电流可以达到25A以上，DC-DC升压部分用了一对IR1404（TO-220）封装的功率管。主变压器用了EI406（立式）的磁芯。前级推挽部分的供电采取对称平衡办法。高压整流快速二极管，用的是HER308。电感式27MM、2.2mH的磁环，高压滤波电容是100uF/450V的大电容，此电容在许可的情形下，尽可能用的容量大一些，对改进高压部分的负载特性和减少滋扰都有好处。 H桥逆变部分用的是4个FDP18N50，耐压500V，最大电流18A，前后级MOS管都非常充足，H桥部分的电路采取的是常规电路。
D、准闭环反馈部分，如下图：
前级电压反馈采取了光耦PE817掌握TL431做隔离准闭环反馈电路。通过电阻R43和R4对400V高压进行采样后，与TL431内部基准电压1.25V进行比较，达到掌握TL431的导通和关断，再通过光耦掌握HV的电压，从而掌握前级SG3525输出旗子暗记的浸染。R12、C7与TL431内部比较器构成积分电路。
E、过流保护电路，如下图所示：（该方法即是做过载保护功能）
通过二极管D5和D4分别对变压器EI406的低级进行电流采集，再经由比较器与基准电压比较之后，输出旗子暗记SD，达到掌握前级SG3525的浸染。
F、欠压告警电路，如下图所示：
如图所示，当SW端电压USW≦10V时，前级属于欠压状态，此时比较器LM358的2脚电压低于3脚的基准电压，LM358的1脚为高电平，以是NE555的4脚为高电平，此时NE555振荡电路处于事情状态，从而产生1.5S的滴滴报警声。
四、PCB板的安装及测试
（把稳：拿到电路图后，将对着电路将干系元件焊好，仔细点，牢记不要把参数焊错了！
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！
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前级驱动板
空板图：
安装好之后如下图：
后级驱动板
功率板
空板图：
PCB图：
安装好之后如下图所示：
随后，便是调试功率板上的过欠压保护了，这部分该当不难，这里就不多说了（按照图纸的参数该当没问题）。
末了，便是机器最主要的过载短路保护测试了，这也是逆变器最主要的一个性能。
统统都已经基本调试成功了，让机器空载事情1小时以上，然后关机，放高压电。
再把散热器装成上，如下图这个样子：
