中芯集成-U申请绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法专利有效防止器件栅极漏电_介质_资料

专利择要显示，本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管构造及其制备方法。
绝缘栅双极型晶体管构造的制备方法包括：供应基底，基底具有有源区、过渡区和终端区，且包括半导体衬底、栅介质材料层以及导电打仗材料层，栅介质材料层以及导电打仗材料层依次层叠形成在半导体衬底上；对导电打仗材料层进行图形化处理，形成导电打仗层，及在过渡区形成电荷开释通孔；至少于过渡区的电荷开释通孔底部形成栅介质增强层；于栅介质增强层上形成层间介质层，且对栅介质材料层进行图形化处理，形成栅介质层。
本申请可以有效防止器件栅极泄电。

本文源自金融界